Расчет параметров элементов схемы импульсного усилителя

 

Рисунок 2.4 - Схема ипульсного усилителя

 

 

При подаче напряжения на конденсатор динистор Vs1 закрыт, следовательно, максимальное напряжение на конденсаторе -

Транзистор VT4 выбираем по напряжению коллектор-эмиттер, большему чем напряжение питания, и току эмиттера, большему тока питания. Этим условиям удовлетворяет транзистор КТ814Б с параметрами Uкэ=40(В), Uбэ=5(В), Ik=1.5(A).

Емкость конденсатора определяем из соотношения:

 

 

Отсюда выбираем Конденсатор типа К5016-20В-56мкФ

Зададимcя током базы в 10(мА), примем Um =6 (B), тогда  мощность резистора – (Вт), выбираем резистор типа МЛТ-0,25Вт-680Ом

Определим параметры трансформатора:

 

;

 

Выбираем импульсный трансформатор на ферритовом кольце типа К20х10х1500 из феррита марки 1500Нм. Параметры ферритового кольца:

Начальная магнитная проницаемость – Mg=1500 Гн/м.

Фазная длина магнитной линии lc=43.55 нм.

Площадь поперечного сечения Sc=22.02

Находим индуктивность намагничивания сердечника трансформатора:

 

 

 

 

где - ток намагничивания сердечника трансформатора.

Находим количество витков первичной и вторичной обмоток трансформатора:

 

витков.

.

 

Выбираем динистор КН102А с параметрами:

Транзистор регулирующего блока принимаем по напряжению и току источника питания КТ102А.

Резистор R10 определим из соотношения:

 

,

 

задавшись током коллектора  получим:

 

 

Определим мощность рассеяния на резисторе R10:

Выбираем резистор МЛТ-1Вт-22Ом

Максимальное напряжение на транзисторе VT5 – 10(B), поскольку то . Задавшись током базы в 10 (мА), получим

 

 

определим мощность рассеяния:  Выбираем резистор R9 типа МЛТ-0.125 на 510 (Ом).

Зададимся током управления в 0,05(А), тогда

 

 

 

Принимаем Rэ=220(Ом). Мощность рассеяния на сопротивлении:  Выбираем R7 типа СПОЕ на 220 (Ом)