Рассчитываем величины элементов эквивалентной схемы транзистора

Определяем параметры эквивалентной схемы биполярного транзистора, которая представлена на рис. 4.

Рис. 4. Физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора (схема Джиаколетто)

Вычисляем параметры схемы Джиаколетто, воспользовавшись следующими соотношениями:

  - барьерная емкость коллекторного перехода; , Из ряда номинальных значений выбираем

     - выходное сопротивление транзистора;  - сопротивление коллекторного перехода;

 - сопротивление эмиттерного перехода по эмиттерному току;

  - сопротивление эмиттерного перехода базовому току;

  - распределенное сопротивление базы,

где t_ОС – постоянная времени обратной связи транзистора;

- диффузионная емкость эмиттерного перехода,

где ¦_Т – граничная частота транзистора;

- собственная постоянная времени

транзистора; t = 0,015 (нс)

- крутизна транзистора; S = 1,81 (А/В)

Определяем граничные и предельные частоты транзистора

а) выписываем из справочника для биполярного транзистора значения граничных и предельных частот ¦_гр = ¦_Т, оцениваем граничную частоту из соотношения: ¦_Т = |Н_21Э| ¦_изм = 0,15 ГГц - граничная частота усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером, где |Н_21Э| - модуль коэффициента передачи по току на высоких частотах, ¦_изм - частота, на которой он измерен (справочные данные);

б) рассчитываем граничные и предельные частоты биполярного транзистора, воспользовавшись следующими соотношениями:

- предельная частота в схеме включения транзистора с общим эмиттером;

    - предельная частота в схеме включения транзистора с общей базой;

- максимальная частота генерации;

    - предельная частота транзистора по крутизне;