Методы получения диэлектрических покрытий

В планарной технологии наиболее широко используют слои SiO₂. Методы формирования слоев можно разделить на две группы в зависимости от того, участвует ли материал подложки в процессе ее получения.

К первой группе относятся:

· методы получения оксидных пленок в результате взаимодействия исходной поверхности подложки с окислителем. Процесс, протекающий при высокой температуре, называется термическим окислением.

· анодное окисление в жидкой фазе;

· реактивное окисление и высокочастотное ионно-плазменное окисление в газовой фазе.

Вторая группа включает методы осаждения оксидных покрытий без участия в реакции самой поверхности подложки с кремнийкислородными частицами, поступающими из внешней среды. Сюда относятся:

· методы простой конденсации из молекулярных пучков в вакууме;

· пиролитическое разложение органосиланов;

·  нанесение диэлектрических пленок из жидкой фазы, например, на основе кремнийорганических соединений.