Уравнение (13) показывает, что ток будет максимален при нулевом напряжении на затворе, и будет уменьшаться при приложении к затвору отрицательного напряжения.
Поскольку напряжение на затворе становится более отрицательным, напряжение стока насыщения и соответствующий ток уменьшаются. При каком-то отрицательном значении напряжения на затворе, ток стока насыщения станет равным нулю. Это напряжение называется пороговым напряжением Vto, которое находится из уравнения (11).
.(14)
Полевые транзисторы часто работают в режиме насыщения, когда заметное влияние на выходной ток оказывает не выходное напряжение – напряжение стока, а только входное – напряжение на затворе. В таком режиме смещения ПТУП почти идеальный источник тока, управляемый входным напряжением.
Крутизна прямой передачи выражается как производная тока стока по напряжению затвор-исток и показывает, как эффективно напряжение на затворе управляет током стока. Она определяется из соотношения
.(15)
|
|
Статические характеристики ПТУП
Основными параметрами, определяющими статические характеристики ПТУП являются: [4]
β –коэффициент, определяющий крутизну транзистора, [A/B2];
VTO –пороговое напряжение, [B];
λ –коэффициент, определяющий выходную проводимость, [B-1];
IS –ток насыщения двух переходов затвора, [А].
Статическая модель для n-канального ПТУП показана на рисунке 9.
G – затвор, S – исток, D – сток, VDS – напряжение сток-исток, VGS и VGD
– напряжение затвор-исток и затвор-сток соответственно, IGS и IGD – токи переходов затвор-исток и затвор-сток соответственно, ID – нелинейный источник тока, rS и rD – омические сопротивления областей истока и стока соответственно.