Основными параметрами контакта металл–полупроводник являются высота барьера φВ, коэффициент идеальности n и пробивное напряжение. Последний параметр легко определяется путем анализа ВАХ контакта (см. рис. 2.4). Для определения φВ и n существуют различные методы. Рассмотрим основные из них.
Рис. 2.4. Вольт-амперная характеристика контакта Шоттки
Метод вольт-амперных характеристик
Исходя из того, что
,
, (2.5)
где S – площадь контакта;
I 0 – ток насыщения.
Для определения I 0 поступают следующим образом. Строят по точкам зависимость ln I = f (U). Экстраполируя линейный участок ВАХ контакта при U = 0, находим I 0 (рис. 2.5). Из наклона этой прямой определяем коэффициент идеальности по формуле
. (2.6)
Рис. 2.5. Метод вольт-амперных характеристик
Метод вольт-фарадных характеристик
|
|
Сущность этого метода заключается в отыскании зависимости емкости конденсатора от величины обратного напряжения. Эта зависимость представляет собой прямую линию, пересекающую ось напряжений в точке (– U) (рис. 2.6).
Рис. 2.6. Метод вольт-фарадных характеристик
Высота барьера определяется по формуле
φВ = U+kT/q. (2.7)