Таблица 8.5
Ва-риант | Рису-нок | E,В | L ,мГн | C ,мкФ | R | R | R | R | Опреде-лить |
Ом | |||||||||
3 | 8.74 | 50 | 1 | 1500 | 2 | 13 | 4 | 1 | u |
Рис. 8.74
Решение
Классический метод расчёта переходных процессов.
1. Запишем выражение для тока:
ii= iiсв+ iiпр,
где iiсв- ток свободного режима схемы при отсутствии источников ЭДС, является решением соответствующего однородного дифференциального уравнения;
iiпр- ток принуждённого (установившегося) режима схемы, является частным решением неоднородного дифференциального уравнения.
2. Принуждённый ток iiпр находится путём расчета цепи в установившемся режиме после коммутации. Цепь постоянного тока, поэтому iпр= 0 (постоянный ток через ёмкость не проходит).
Сопротивление индуктивности в установившемся режиме после коммутации равно нулю.
Ток равен:
i1пр=Е/(R1+R3+R4)=50/(2+4+1)=7,143A
Принуждённое напряжение u1пр найдём из левого контура схемы:
i1пр(R4+R3)=u1пр тогда u1пр=7,143(4+1)=35,714В
3. Законы коммутации iL(0-)= iL(0+) и uC(0-)= uC(0+), причём i(0)=0 до коммутации, i1(0)= iL(0-)= iL(0+)=Е/(R1+R2+R3+R4)=50/(2+13+4+1)=2,5A и
|
|
и uC=(0-)=uC(0+)=i1(0)(R1+R3)=2,5∙(4+1)=12,5В.
4. Запишем характеристическое уравнение однородного дифференциального уравнения переходного процесса (свободной составляющей) для схемы после коммутации методом комплексного входного сопротивления с заменой jω на р; схема содержит 2 параллельные сопротивления (R1+R4), C1/р и последовательное им (L1р +R1).
Тогда:
Найдем корни характеристического уравнения, приравняем числитель нулю.
=> 0,005p2+10,0000015p+0,0105=0 => p2+2000,0003p+2,1=0
p1,2=-1000,00015±√(1000,000152-2,1)=-1000,00015±999,999 c-1
p1=-0,00105 c-1; p2=-1999,99925 c-1.
5. Свободная составляющая напряжения при комплексных корнях имеет вид: i1cв=А1еp1t+А2еp2t.
6. Для нахождения постоянных интегрирования А1 и А2 определим зависимые начальные условия:
i1(0)= iL(0-)= iL(0+)=2,5A и uC(0)=uC=(0-)=uC(0+)=12,5В при t=0
Запишем уравнение Кирхгофа для левого контура схемы после коммутации при t=0:
L1di1(0)/dt+R1i1(0)=uC(0); =>
di1(0)/dt=(uC(0)- R1i1(0))/L1=(12,5-2∙2,5)/0,001=7500 В/с.
Находим А1 и А2 из уравнений:
i1св(0)=А1е-0,00105∙0+А2е-1999,99925∙0 =А1+А2=2,50 => А2=2,50-А1 и
di1(0)/dt=А1(-0,00105)еp-0,00105∙0+А2(-1999,99925)е-1999,99925∙0=
= А1(-0,00105)+А2(-1999,99925)=7500
-0,00105А1-1999,99925 (2,5-А1)=7500 => А1=6,25; А2=-3,75;
Получаем i1св(t)=6,25е-0,00105∙t-3,75е-1999,99925∙t, принуждённый ток i1пр=7,143
окончательно i1(t)=7,143+6,25е-0,00105∙t-3,75е-1999,99925∙t.
7. Напряжение на резисторе:
uR1(t)=R1(i1пр+i1св(t))=
=2(7,143+6,25е-0,00105∙t-3,75е-1999,99925∙t)=14,286+12,5е-0,00105∙t-3,75е-1999,99925∙t
Построим кривую uR1(t).
Результаты расчётов сведём в таблицу.
Обозна чение | τ=0 | τ=1/│p1│ | τ=2/│p1│ | τ=3/│p1│ | τ=4/│p1│ | τ=5/│p1│ | τ=6/│p1│ | τ=8/│p1│ | τ=10/│p1│ | ||
t | 0,000 | 952,381 | 1904,761 | 2857,142
| 3809,522 | 4761,903 | 5714,284 | 7619,045 | 9523,806 | ||
p1∙t | 0,000 | -1,000 | -2,000 | -3,000 | -4,000 | -5,000 | -6,000 | -8,000 | -10,000 | ||
exp(p1∙t) | 1,000 | 0,368 | 0,135 | 0,050 | 0,018 | 0,007 | 0,002 | 0,000 | 0,000 | ||
p2∙t | 0,000 | -1904760,5 | -3809521,0 | -5714281,4 | -7619041,9 | -9523802,4 | -11428562,9 | -15238083,8 | -19047604,8 | ||
exp(p2∙t) | 1,000 | 0,000 | 0,000 | 0,000 | 0,000 | 0,000 | 0,000 | 0,000 | 0,000 | ||
uR1, B | 19,28571 | 18,88421 | 15,97741 | 14,90805 | 14,51466 | 14,36994 | 14,31670 | 14,28991 | 14,28628 |
График приведен ниже:
Операторный метод расчёта переходных процессов.
1. Преобразуем заданную схему после коммутации в эквивалентную операторную схему, которая содержит для индуктивности L1 содержит операторное сопротивление рL1 и источник с ЭДС L1i1(0), направленный по току i1(0) и для ёмкости С1 содержит операторное сопротивление 1/р/С1 и источник с ЭДС uC(0)/р, направленный навстречу току.
Найдём начальные условия до коммутации:
i(0)=0, i1(0)=i2(0)=Е/(R1+R3+R4)=50/(2+4+1)=7,143А
uC2(0)= i2(0)(R3+R4)= 7,143∙5=35,714В
2. Выполним расчёт операторной схемы методом контурных токов: внешний контур (ток I11(p))-ветви 1 и 2, обход по часовой стрелке), правый контур (ток I22(p))- ветви 2 и 3, обход по часовой стрелке).
I2(p)=I22(p), I1(p)=I11(p), I(p)= I11(p)-I22(p)
I11(p)(R1+ рL1+1/р/C1)-I22(p)(1/р/C1) =E/p+L1i1(0)-Uc(0)/p
-I11(p) (1/р/C1)+ I22(p)(R3+R4+1/р/C1)= Uc(0)/p
I11(p)∙(2+0,001р+666,667/р) -I22(p)∙(666,667/р) =50/p+0,007143-35,714/p
-I11(p)∙(666,667/р)+ I22(p)∙(5+666,667/р)= 35,714/p
Решим систему методом Крамера:
∆=(2+0,001р+666,667/р)∙(5+666,667/р)-(666,667/р)2= =(10,667p+0,005р2+0,0105)/р
∆1=((50-35,714)/p+0,00714)∙(5+666,667/р)+(666,667/р)∙35,714/p=
(0,0357p2+76,15p+0,0349)/р2
I1(p)=I11(p)=[(0,0357p2+76,15p+0,0349)/р2]/[(10,667p+0,005р2+0,0105)/р]=
(0,0357p2+76,15p+0,075)/p/(10,667p+0,005р2+0,0105)=F1(p)/F2(p)
Находим производную:
F2(p)=p(10,667p+0,005р2+0,0105):F’2(p)=0,015р2+21,334p+0,0105
Корни характеристического уравнения получим из:
F2(p)= p(0,005р2+10,667p+0,0105)=0
Находим корни квадратного уравнения р1=0
p2,3=-1000,00015±999,999 c-1.
p2=-0,00105 c-1; p3=-1999,99925 c-1.
F1(p1)=(0,0357p12+76,15p1+0,075)=0,075.
F1(p2)= (0,0357p22+76,15p2+0,075)=-0,0743
F1(p3)= (0,0357p32+76,15p3+0,075)=-64994,93
F’2(p1)= 0,015р12+21,334p1+0,0105=0,0105
F’2(p2)= 0,015р22+21,334p3+0,0105=-0,0119
F’2(p3)= 0,015р32+21,334p3+0,0105=17331,98
Получим:
i1(t)=F1(p1)/F’2(p1) еp1t+F1(p2)/F’2(p2)еp2t+F1(p3)/F’2(p3)еp3t =
=0,075/0,0105е0t +(-0,0743/-0,0119)е-0,00105t +(-64994,93/17331,98е-1999,99925∙t=
i1(t)=7,143+6,249е-0,00105t -3,777 е-1999,99925t
uR1(t)=14,286+12,5е-0,00105∙t-3,75е-1999,99925∙t
Совпадает с классическим методом
ЛИТЕРАТУРА
1. Основы теории цепей: Учебник для вузов / Г.В. Зевеке, П.А. Ионкин, А.В. Нетушил, С.В. Страхов. М.: Энергоатомиздат, 1989. 528 с.
2. Бессонов Л.А. Теоретические основы электротехники. Электрические цепи: Учебник для вузов. М.: Гардарики, 2002. 638 с.
3. Бессонов Л. А. Теоретические основы электротехники. Электромагнитное поле: Учебник для вузов. М.: Высшая школа, 1986. 263 с.
4. Сивяков Б.К., Дубинская И.Л., Осипова С.В. Теоретические основы электротехники. Учеб. пособие. Саратов: Сарат. гос. техн. ун-т, 2003. 116 с.
5. Теоретические основы электротехники: учеб. пособие для студентов спец. 100400, 200500, 210100, 210300 / Б. К. Сивяков, И. Л. Дубинская, С. В. Осипова; Саратовский гос. техн. ун-т. - Cаратов: СГТУ, 2010. С. 38-59.