2020-08-05
142
Аналогичным образом можно получить выражение для диэлектрических потерь с использованием последовательной схемы замещения. В этом случае получается
P = U 2ω C s tgδ / [ 1 + (tgδ) 2 ] (13)
Видно, что для диэлектриков с малым tgδ величиной (tgδ) 2 можно пренебречь, тогда будет наблюдаться равенство формул потерь для параллельной и последовательной схем замещения и С s > С, а емкость и ε становятся неопределенными.
Коэффициент диэлектрических потерь. Для упрощения расчетов часто пользуются комплексными величинами. Комплексная диэлектрическая проницаемость записывается в виде
ε* = ε' - jε", (14)
где действительная часть ε' имеет физический смысл относительной диэлектрической проницаемости ε, а ε" характеризует потери
ε" = ε · tgδ (15)
и называется коэффициентом диэлектрических потерь.!
Виды диэлектрических потерь (общее определение). Можно выделить следующие основные виды диэлектрических потерь.
Потери на электропроводность - характерны для всех без исключения диэлектриков. Наблюдаются при постоянном и переменном напряжении. В однородных неполярных диэлектриках являются единственным видом потерь.
Релаксационные потери - обусловливаются поляризацией диэлектриков. Вызываются активными составляющими абсорбционных токов замедленных поляризаций.
Потери, обусловленные неоднородностью - проводящими и газовыми включениями, слоистостью и т. п. Эти потери являются дополнительными релаксационными потерями. Наиболее часто они проявляются в виде потерь, обусловленных миграционной поляризацией, характерной в основном для композиционных и слоистых диэлектриков.
Ионизационные потери, возникающие в диэлектриках, содержащих поры или газовые включения.
Резонансные потери, возникающие на частотах, совпадающих с собственными частотами колебаний электронов или ионов.
3.3. Потери на электропроводность
Протекание сквозного тока через диэлектрик как в постоянном, так и в переменном электрическом поле приводит к диэлектрическим потерям на электропроводность. Потери сквозной проводимости будут единственным видом потерь в однородном неполярном диэлектрике, для которого можно использовать простейшую параллельную схему замещения. Для такой схемы замещения по определению
tgδ = Ia / Iс = U/R· (1/UωC) = 1/RωC, (16)
т. е. tgδ будет обратно пропорционален частоте. Потери на электропроводность будут наблюдаться также и в полярных диэлектриках. Так как tgδ диэлектриков пропорционален активной проводимости tgδ=γa/γс то ясно, что tgδ будет следовать за изменением γa, которая увеличивается экспоненциально с увеличением температуры. Поэтому для неширокого диапазона температур можно написать
tgδ = tgδ0 e aT (17)
где а и Т - постоянные, характерные для данного диэлектрика. Для ионных кристаллов можно получить другое выражение
tgδ = (1,8 · 1010 · γ0 / ε · f) · exp(-Wa / kT) (18)
Видно, что в последнем выражении tgδ зависит обратно пропорционально от частоты поля и ε материала. Значения tgδ неполярных полимеров (полиэтилена, политетрафторэтилена) ничтожно малы и лежат в диапазоне (2-5) · 10 -4,
см.рис. 3.2.
|
| рис. 3.2 |
На высоких частотах tgδ, обусловленный сквозным током, менее 10 -4. Следует иметь ввиду, что tgδ конденсатора с неполярным диэлектриком с ростом частоты уменьшается не беспредельно, а, начиная с некоторой частоты, начинает линейно возрастать в соответствии с выражением, полученным из последовательной схемы замещения
tgδм» r ω Cs (19)
где r, Cs - сопротивление обкладок и емкость последовательной схемы замещения конденсатора.
Рост составляющей tgδм обусловлен потерями в металлических (проводящих) частях, которые увеличиваются с ростом частоты. Следовательно, на общей зависимости tgδ конденсатора с диэлектриком от частоты при некотором значении частоты должен иметь место минимум. В случае конденсатора с полярным диэлектриком, начиная с некоторой частоты, потери в обкладках также будут возрастать линейно (рис. 3.3).
|
| рис. 3.3 |
4. Релаксационные потери
Основные причины, вызывающие протекание через диэлектрик абсорбционных токов, приводящих к релаксационным потерям, перечислены в разделе об электропроводности диэлектриков (ток абсорбции). Отметим, что потери релаксационного характера могут наблюдаться не только в полярных диэлектриках, но и в неполярных, например при наличии пористой или слоистой структуры, когда становится возможна ионизация газовых включений, накопление объемных зарядов и др. Появление абсорбционных токов в полярных диэлектриках под действием внешнего поля, наряду с неоднородностью, обусловлено, главным образом, ориентацией полярных молекул.
В вязких жидкостях полярные молекулы - диполи, ориентируясь во внешнем поле преодолевают силы внутреннего трения (вязкость) в результате чего часть электрической энергии превращается в тепло. В твердых диэлектриках релаксационные потери вызываются как процессами установления дипольной поляризации, так и поляризацией, определяемой слабосвязанными ионами.
Зависимость tgδ от частоты для релаксационных поляризаций имеет наибольшую физическую ясность для полярных жидкостей, в которых дипольные молекулы могут сравнительно легко вращаться друг относительно друга, преодолевая силы вязкого трения. Если пренебречь потерями сквозной проводимости, то для чисто дипольного механизма потерь при частоте ωд (рис. 3.4) будет наблюдаться максимум (кривая 1). Условие максимума ωд · τ» 1, где τ - время релаксации. Увеличение tgδ происходит до тех пор, пока время релаксаций дипольных молекул τ << l/2 f, т. е. с ростом частоты диполям не хватает времени для ориентации l/2 f << τ и tgδ уменьшается. Если в диэлектрике заметные потери сквозной проводимости, то они, в соответствии с выражением tgδ=l/RωCs уменьшаются с ростом частоты (кривая 2). В этом случае суммарная зависимость имеет вид кривой 3.
|
| рис. 3.4 |
Зависимость tgδ полярных диэлектриков от температуры. Если пренебречь потерями сквозной проводимости, то, как и в зависимости tgδ от частоты, в температурной зависимости tgδ будет максимум, как показано на рис. 3.5. Применительно к полярным жидкостям максимум можно объяснить тем, что начальное возрастание tgδ связано со снижением вязкости, уменьшением сил трения между диполями и, вследствие этого, их более легкой ориентации в электрическом поле, что приводит к росту tgδ. С другой стороны, с увеличением температуры нарастает тепловое хаотическое движение молекул дезориентирующее ориентацию диполей, что и приводит к уменьшению tgδ при достаточно высоких температурах, tgδ, обусловленный сквозной проводимостью (кривая 2), суммируется с кривой 1, давая кривую 3.
|
| рис. 3.5 |
Зависимость tgδ от напряжения имеет нелинейный характер в диэлектриках с пористой структурой, в волокнистой или прессованной изоляции, пористой керамике и пластмассах и т. д. Зависимость tgδ от напряжения (напряженности поля) в этом случае носит название кривой ионизации-рис. 3.6. Процесс ионизации пор начинается в точке А и завершается в точке В, после чего кривая несколько снижается из-за того, что поры приобретают большую проводимость и падение напряжения на них становится малым. В процессе ионизации пор часть кислорода переходит в озон О3 и образуются окислы озона, вызывающие разрушение органической изоляции. В неорганической изоляции в большинстве случаев наличие пор также нежелательно. Например, частичные разряды в керамике, если она содержит поры и используется в качестве диэлектрика конденсатора, приведут к нестабильности частоты конденсатора (эффект "мерцания").
|
| рис. 3.6 |
Зависимость от влажности проявляется для гигроскопических диэлектриков, материалов волокнистых и с открытой пористостью, стекол, некоторых керамических материалов, ряда полярных диэлектриков. Увеличение влажности приводит у таких материалов к росту активных составляющих абсорбционных токов и токов сквозной проводимости, что приводит к увеличению tgδ и вызывает нагрев электрической изоляции.
5. Диэлектрические потери полимеров
Диэлектрические потери неполярных полимеров при тщательной очистке их от остатков мономеров, катализаторов, стабилизаторов невелики, поэтому они находят применение в качестве высокочастотных диэлектриков. В этом случае часто tgδ» 2 · 10-4.
В полимерах недостаточно хорошо очищенных от примесей, наряду с потерями сквозной электропроводности, как и в полярных диэлектриках возможны потери на дипольную поляризацию. Диэлектрические потери полярных полимеров определяются дипольной ориентационной и резонансной поляризациями. Время установления дипольной поляризации с ростом температуры изменяется на несколько порядков, поэтому в зависимости от строения макромолекул полимеров tgδ от температуры и частоты изменяется сложным образом.
В температурной зависимости tgδ полярных полимеров может наблюдаться несколько максимумов β, γ, δ, когда у полимера имеются полярные группы, обладающие различной подвижностью (дипольно-групповые потери). При температуре выше температуры стеклования Тc у полимеров возможна ориентация крупных блоков макромолекулы-сегментов (дипольно-сегментальная поляризация). Дипольно-сегментальная поляризация приводит к появлению высокотемпературного максимума (α). Этот вид поляризации может не наблюдаться у полимеров с очень жесткими макромолекулами. Характерная зависимость tgδ от температуры для полимерного диэлектрика с дипольно-групповыми (β, γ, δ) и дипольно-сегментальными потерями (α) показана на рис. 3.7.
|
| рис. 3.7 |
6. Диэлектрические потери неорганических диэлектриков
Наиболее актуально в настоящее время изучение диэлектрических потерь в стеклах, керамике, ситаллах главным образом в диапазоне СВЧ. Экспериментальные данные показывают, что на частотах выше 107-108 Гц диэлектрические потери растут монотонно.
Наиболее пологая зависимость tgδ у боросиликатного стекла с малым содержанием ионов модификаторов, наиболее резкое изменение tgδ у свинцовосиликатного стекла.
Рост tgδ при СВЧ у ситаллов обусловлен релаксационными процессами в кристаллических фазах - рис. 3.8.
|
| рис. 3.8 |
В области СВЧ наиболее слабо поглощают лишь чисто кварцевое и боросиликатное стекла. Стеклообразная фаза в керамике или ситалле служит, по мнению М. Д. Машкович, единственной причиной роста tgδ с частотой при СВЧ. Дефекты в кристаллах, например в корунде, могут быть причиной релаксационных потерь, проявляющихся в диапазоне СВЧ при температурах, близких к комнатным. Повышенные диэлектрические потери в диапазоне СВЧ могут быть даже у высокоглиноземистой керамики.
7. Диэлектрические потери в неоднородных диэлектриках
Во многих устройствах электроизоляционной, кабельной и электронной техники применяемые диэлектрические материалы являются макроскопически дефектными средами. Примером таких диэлектриков является: многослойная бумажная изоляция электрических вводов, кабелей; диэлектрика силовых бумажных конденсаторов; объемно-пористых диэлектриков электролитических конденсаторов и др. Такие материалы относятся к макроскопически неоднородным диэлектрикам. В электрическом поле в таких диэлектриках практически мгновенно устанавливается распределение электрического поля в соответствии с распределением диэлектрической проницаемости. В переменных полях протекание замедленных абсорбционных процессов поляризации приводит к диэлектрическому поглощению. Неоднородный диэлектрик с проводящими включениями в переменном поле может рассматриваться как диэлектрик, содержащий диполи. В простейшем случае потери неоднородного диэлектрика рассчитываются для двухслойного конденсатора (потери Максвелла - Вагнера). Особенно интенсивно потери такого типа проявляются в керамических материалах гетерогенного типа с зернистой структурой. Существование неоднородностей возможно и в высококачественных изоляционных керамических материалах.
Диэлектрические потери в композиционных диэлектриках можно рассчитать, используя параллельную или последовательную схему замещения диэлектрика. Обозначим через С и δ с соответствующими индексами емкость и угол диэлектрических потерь для первого и второго слоя диэлектрика, соединенных параллельно. Можем написать выражение для tgδ такой системы, как отношение суммарной активной мощности системы Рa к суммарной реактивной мощности системы Рc tgδ = Pa / Pc, где Pa = Pa1+a2 и Рc = Рc1+Рc2 (индексы 1 и 2 относятся к 1 и 2 слою диэлектрика). С учетом того, что Pa1 = U 2 ω C1 tgδ1, Pa2 = U 2 ω C2 tgδ2, Pc1 = U 2 ω C1, Pc2 = U 2 ω C2, где U - напряжение, одинаковое для каждого слоя, ω - угловая частота переменного напряжения, получим
tgδ = (C1tgδ1 + C2tgδ2) / (C1 + C2) (20)
Для последовательной схемы при некоторых упрощающих предположениях можно получить аналогичным путем формулу
tgδs = (C1tgδ2 + C2tgδ1) / (C1 + C2) (21)
