Исследование характеристик биполярного транзистора

1.1. Собрать схему для снятия характеристик биполярного транзистора (рисунок 1). Между гнездами X2 и X11 включить миллиамперметр РА3 блока «Измерительные приборы», между гнездами X1 и X4 – миллиамперметр РА1. Соединить перемычкой гнезда X3 и X7. Между гнездами Х2, Х5 и X4, X16 включить Измерительные приборы РV1, РV2 блока «Измерительные приборы» в режиме измерения постоянного напряжения. Подключить источник «=U2», установив тумблер SA2 в нижнее положение.

1.2. Снять статическую характеристику прямой передачи по току Iк=f(Iб) при значении Uк, равном заданному значению Ек и Rк=0. Для этого дополнительно поставить перемычку между гнездами X1 и X3. Включить электропитание модулей стенда. Изменяя положение потенциометра RP1, тем самым изменяя ток базы, снимать показания миллиамперметров РА1 и РА3. Результаты измерений записать в таблицу 1. При снятии характеристики следить за постоянством напряжения Uк. Выключить электропитание модулей стенда.

Таблица 1

1.3. Снять характеристику прямой передачи по току Iк=f(Iб) при наличии нагрузки Rк. Убрать перемычку между гнездами X1, X3 (включить в схему резистор R2). Включить электропитание модулей стенда. С помощью переключателя «R2» установить заданное значение резистора R2. С помощью потенциометра RP1 установить ток базы, равный нулю, а с помощью потенциометра RP2 установить заданное значение Ек. В дальнейшем ручку регулировки RP2 не трогать. В вблизи области насыщения точки снимать чаще. Экспериментальные результаты записать в таблицу 2. Выключить электропитание модулей стенда. Построить экспериментальные характеристики.

Рисунок 1 – Исследование биполярного транзистора

Таблица 2

1.4. По построенной в п. 1.3 характеристике определить области активного усиления, отсечки и насыщения. Определить максимальный ток Iбmax, при котором еще обеспечивается линейное усиление.

1.5. Снять выходные статические характеристики транзистора Iк=f(Uкэ) при Iб = const. Для этого дополнительно установить перемычку между гнездами X1 и X3.

Включить питание. Изменяя ток базы от нуля снять семейство выходных характеристик и зарисовать на одном рисунке выходные характеристики для трех значений тока базы: Iб1=0; Iб2=0,5Iб max; Iб3=Iб max. Для этого с помощью потенциометра RPV1 устанавливать ток базы (показания миллиамперметра РА3) Iб1=0; Iб2=0,5Iб max; Iб3=Iб max. Изменяя напряжение Uкэ потенциометром RP2 в цепи коллектора от нулевого значения измерять ток коллектора Iк транзистора (миллиамперметром РА1). Произвести измерения тока коллектора при нескольких значениях напряжения Uкэ (показания мультиметра Р2). Результаты измерений занести в таблицу 3. Произвести аналогичные измерения при двух других значениях тока базы. Перед каждым измерением необходимо подрегулировать ток базы транзистора. Выключить питание модулей стенда.

Таблица 3