1. Варисторы.
Варисторами называются полупроводниковые резисторы, обладающие нелинейными свойствами.
Основным материалом для создания варисторов служит порошок карбида кремния SiC с каким-либо связующим веществом. Нелинейность сопротивления объясняется главным образом нагревом микроконтактов между зёрнами SiC. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) варистора и его изображение на схемах приведена на рис. 4.1. Внешне варисторы оформляются в виде стержней или дисков.
Важнейшими параметрами варистора являются:
- коэффициент нелинейности β – это отношение сопротивления постоян-ному току к сопротивлению переменному току.
β = = (4.1)
Обычно составляет 3 – 6.
- максимально допустимое напряжение (обычно составляет десятки В – единицы кВ).
- номинальная мощность рассеивания (1 – 3 Вт).
- температурный коэффициент сопротивления составляет в среднем минус 5
- предельная рабочая температура составляет 60 ÷ 70°С.
Рис. 4.1. ВАХ варистора и его изображение на схемах.
Варисторы используются при постоянном и переменном токе частотой до нескольких кГц. Применяются варисторы для защиты от перенапряжений, в стабилизаторах и ограничителях напряжения, в схемах автоматики.
2. Терморезисторы.
Терморезистор – это полупроводниковый резистор, в котором используется зависимость электрического сопротивления полупроводника от температуры.
Терморезисторы называют термосопротивлениями или термисторами. Чаще всего термисторы делают из оксидов металлов. Их оформляют в виде стержней, пластин, дисков, шайб и бусинок. Термисторы имеют, как правило, отрицательный температурный коэффициент сопротивления (ТКС). Выпускаются термисторы, имеющие в некотором, сравнительно узком интервале температур положительный ТКС и называются они позисторами.
На рис. 4.2 (слева) показана кривая зависимости сопротивления термистора с отрицательным ТКС от температуры и его изображение на схемах.
Вольт-амперная характеристика термистора с отрицательным ТКС показана на рис. 4.2 (справа) при различных условиях теплоотвода. Кривая 1 соответствует наилучшему теплоотводу, а кривая 2 – наихудшему.
На рис. 3.3 показана кривая зависимости сопротивления термистора с положительным ТКС от температуры.
Конструкция позистора показана на рис. 4.4.
Важнейшие параметры терморезистора:
- номинальное сопротивление (от нескольких Ом до нескольких кОм с допуском 5, 10 и 20 ).
- температурный коэффициент сопротивления составляет обычно минус (0,8 ) .
- для некоторой определённой температуры (например, +20°С) указывается сопротивление постоянному и переменному току.
При эксплуатации надо учитывать максимально допустимую температуру и максимально допустимую рассеиваемую мощность.
Термисторы применяются в качестве датчиков температуры и нелинейных резисторов в устройствах автоматики. Специальные малогабаритные сдвоенные терморезисторы, называемые болометрами, применяются для измерения лучистой энергии. Некоторые терморезисторы выпускаются с косвенным подогревом, т.е. имеют подогреватель в виде проволочки, через которую пропускают ток.
Рис. 4.2. Характеристики и обозначение термистора.
Рис. 4.3. Характеристика термистора с положительным ТКС, при нагревании за счёт подводимой мощности (1) и за счёт изменения температуры окружающей среды (2).
Рис. 4.4. Устройство позистора: 1- термоэлемент; 2- контакт; 3- вывод; 4-защитный компаунд.
3. Фоторезисторы.
Фоторезистор – это полупроводниковый резистор, действие которого основано на фоторезистивном эффекте.
Принцип устройства фоторезистора поясняется рис. 4.5. а. На диэлек-трическую пластинку 2 нанесён тонкий слой полупроводника 1 с кон-тактами 3 по краям. Схема включения фоторезистора приведена на рис.4.5. б. Полярность источника питания роли не играет.
Если облучения нет, то фоторезистор имеет некоторое большое сопротивление , называемое темновым. Оно является одним из пара-метров фоторезистора и составляет ÷ Ом. Соответственно ток через фоторезистор называют темновым током. При действии излучения с достаточной энергией фотонов на фоторезистор в нём про-исходит генерация пар подвижных носителей зарядов (электронов и дырок) и его сопротивление уменьшается.
Для фоторезисторов применяют различные полупроводники, имеющие нужные свойства. Сернистый свинец наиболее чувствителен к инфракрасному, а сернистый кадмий – к видимому излучению.
Фоторезисторы имеют линейную ВАХ (рис. 4.6.) и нелинейную энергетическую характеристику (рис. 4.7.).
Рис. 4.5. Устройство фоторезистора (а) и схема включения (б).
Важнейшие параметры фоторезистора:
- удельная чувствительность, т.е. интегральная чувствительность отнесён-
ная к 1В приложенного напряжения:
= (4.2)
где Ф – световой поток (Лм).
Обычно составляет от нескольких сотен до нескольких тысяч микро-ампер на вольт-люмен.
- максимальное допустимое рабочее напряжение (до 600 В).
- кратность изменения сопротивления (до 500).
- температурный коэффициент фототока определяется по формуле (4.3) и имеет значение от до
ТКФ = (4.3)
Рис. 4.6. Вольт-амперная характеристика фоторезистора.
Рис. 4.7. Энергетическая характеристика фоторезистора.
Значительная зависимость сопротивления от температуры характерная для полупроводников является недостатком фоторезисторов. Не-достатком также является большая инерционность, объясняемая большим временем рекомбинации электронов и дырок после прекращения облучения. Практически фоторезисторы применяются на частотах не выше нескольких сотен Гц или нескольких кГц. Фоторезисторы применяют в схемах автоматики.