В общем случае распределение концентрации носителей заряда в структуре транзистора находится из уравнения непрерывности, как это было показано ранее для отдельного p-n перехода с ограниченной базой. В отличие от отдельного p-n перехода транзистор представляет собой два связанных по току p-n перехода с ограниченной базой, один из которых смещён в прямом направлении, а второй – в обратном, но результирующее распределение концентрации носителей в базе и токов электронов и дырок может быть представлено суперпозицией двух режимов.
На рисунке 7.5 приведено распределение логарифма концентрации основных и неосновных носителей заряда в нейтральном состоянии (без смещения). На рисунке 7.6 представлено распределение неосновных носителей заряда в линейном масштабе в усилительном режиме. Распределение основных носителей заряда не изменяется, так как мы рассматриваем случай малых уровней инжекции.
Коллекторный переход для прямосмещённого эмиттера служит контактом со скоростью рекомбинации, близкой к бесконечности, аналогично идеальному омическому контакту, так как поле обратносмещенного коллектора экстрагирует неосновные носители заряда. Инерционность экстракции определяется временем дрейфа носителей через толщину ОПЗ коллекторного p-n перехода (dс), порядка 10–11с. С другой стороны, эмиттерный переход является контактом со скоростью генерации, близкой к бесконечности, для обратносмещённого коллекторного p-n перехода. Нарушение нейтральности базы за счёт экстракции дырок на границе ОПЗ коллектора нейтрализуется инжекцией из сильнолегированного эмиттера (генерация на контакте).
|
|
В соответствии с граничными условиями малых уровней инжекции (условие Шокли):
; ;
(7.6)
; .
Распределение неравновесных дырок в базе определяется суперпозицией инжекции из эмиттера и тепловой генерации и экстракции обратносмещенным коллектором
(7.7)
.
Инжекция из эмиттера создаёт избыточную концентрацию D РВ1 и полезный ток коллектора. Экстракция генерированных теплом дырок в базе D РВ2 создаёт компоненту неуправляемого обратного тока коллектора.
Энергетические диаграммы транзистора p-n-p типа для равновесных условий и режима усиления приведены на рисунке 7.7.
Прямое смещение эмиттера снижает барьер эмиттера (Ф 0 Е – qUE). Величина смещения эмиттера соответствует разности квазиуровней Ферми в эмиттерном переходе: . Величина коллекторного барьера увеличилась на значение приложенного обратного смещения: Ф 0 С + qUС. Разница между квазиуровнями в коллекторном переходе соответствует коллекторному смещению . Неравновесная концентрация дырок в базе отражается более близком к EV расположением квазиуровня дырок FpB. Аналогично избыточная концентрация электронов в р- эмиттере отражена квазиуровнем FnE. Экстракция электронов из коллектора отражена удалением Fn от зоны проводимости ЕС коллектора, а экстракция дырок из базы соответственно удалением квазиуровня Fp от EV базы. Знак минус для jnE и jnC отражает противоположное направление тока потоку электронов.
|
|
p n p -jnC EC
EC F
-jnE EV
Fp Fn qUC
F
qUE Ф0C+UC
Ф0E EV
Ф0C Ф0E-qUE jpC
++++
+++
JpE ++
а) + б)
Рисунок 7.7 - Энергетические диаграммы транзистора:
а) нейтральное состояние; б) усилительный режим