2020-10-12
211
на коллекторном переходе
Влияние напряжения на коллекторе проявляется двумя эффектами: сужением ширины физической базы за счет расширения ОПЗ коллектора, что приводит к увеличению эффективности эмиттера и коэффициента переноса (эффект Эрли), и ударной ионизацией носителей в поле ОПЗ коллектора (лавинное размножение). Физическая толщина базы (рисунок 7.22)
,
где 
для транзистора с высокоомной базой.
Уменьшение толщины базы приводит к снижению рекомбинационных потерь при пролёте базы (
) и увеличению эффективности эмиттера из-за увеличения плотности тока прямой инжекции (увеличивается градиент концентрации неосновных носителей заряда в базе). На малых токах коллектора величина В определяется потерями в ОПЗ эмиттера и на его поверхности (
), поэтому влияние эффекта Эрли незначительно. На средних и больших уровнях инжекции изменение коэффициента усиления значительно больше (рисунок 7.23). Увеличение напряжения на коллекторе и уменьшение толщины физической базы сдвигают эффекты БУИ в область больших токов (7.24), (7.31). При малых напряжениях на коллекторе увеличение последнего приводит к подавлению эффекта квазинасыщения (7.36). В области высоких напряжений коэффициент передачи тока базы В стремится к бесконечности с асимптотой 
. Максимальное значение 
соответствует значению 
. При этом напряжении
а, следовательно, ток коллектора 
.
Величина максимального напряжения 
значительно ниже величины максимального напряжения в схеме с общей базой, которое ограничивается напряжением лавинного пробоя 
. Напряжение 
может быть определено из условия 
,
где 
Из этого условия следует: 
(7.47)
|
