Зависимость коэффициента усиления от напряжения

 на коллекторном переходе

Влияние напряжения на коллекторе проявляется двумя эффектами: сужением ширины физической базы за счет расширения ОПЗ коллектора, что приводит к увеличению эффективности эмиттера и коэффициента переноса (эффект Эрли), и ударной ионизацией носителей в поле ОПЗ коллектора (лавинное размножение). Физическая толщина базы (рисунок 7.22)

,

где для транзистора с высокоомной базой.

Уменьшение толщины базы приводит к снижению рекомбинационных потерь при пролёте базы () и увеличению эффективности эмиттера из-за увеличения плотности тока прямой инжекции (увеличивается градиент концентрации неосновных носителей заряда в базе). На малых токах коллектора величина В определяется потерями в ОПЗ эмиттера и на его поверхности (), поэтому влияние эффекта Эрли незначительно. На средних и больших уровнях инжекции изменение коэффициента усиления значительно больше (рисунок 7.23). Увеличение напряжения на коллекторе и уменьшение толщины физической базы сдвигают эффекты БУИ в область больших токов (7.24), (7.31). При малых напряжениях на коллекторе увеличение последнего приводит к подавлению эффекта квазинасыщения (7.36). В области высоких напряжений коэффициент передачи тока базы В стремится к бесконечности с асимптотой . Максимальное значение  соответствует значению .  При этом напряжении 

 а, следовательно, ток коллектора .

Величина максимального напряжения  значительно ниже величины максимального напряжения в схеме с общей базой, которое ограничивается напряжением лавинного пробоя . Напряжение  может быть определено из условия ,

где  

Из этого условия следует:                                                                                 (7.47)