Устройство МДП-транзистора со встроенным каналом показано на рис.4.13,а, а на рис.4,13,б его условное графическое обозначение. Характерной особенностью этого транзистора начнется наличие канала, соединяющего исток и сток при нулевом напряжении на затворе. В связи с этим высота канала и его проводимость будут изменяться при изменении напряжения на затворе как в сторону положительных, так и отрицательных значений. Поэтому МДП-транзистор может работать и в режиме обогащения канала носителями заряда и в режиме обеднения его этими носителями. Соответственно изменяется статические характеристики транзистора, примерный вид которых показан на рис.4.14.