Начальный ток стока I с0 – ток в цепи стока транзистора, включенного по схеме с общим истоком, при U си, < U с нас; U зи = 0.
Ток стока в рабочей точке (при 0 > U зи > U отс) можно определить по формуле
I с= I с0(1- U зи/ U отс)2. (1)
Уравнение (1) является приближенным для проходной характеристики любого полевого транзистора (особенно с малыми напряжениями отсечки).
Напряжение отсечки U отс – один из основных параметров, характеризующих ПТ. При напряжении на затворе, численно равным напряжению отсечки, практически полностью перекрывается канал полевого транзистора, и ток стока при этом стремится к нулю.
В справочных данных на ПТ всегда указывается, при каком значении тока стока произведены измерения напряжения отсечки. Так, например, для транзисторов КП307Е напряжения U отс = -0.5 ¸ - 2.5 В получены при токе стока 0.01 мА.
Крутизна проходной характеристики. Входное сопротивление полевых транзисторов со стороны управляющего электрода (затвора) составляет 107¸109 Ом. Усилительные свойства полевого транзистора, как и электронных ламп, характеризуются крутизной проходной характеристики: S = ∂ I с /∂ U зи, при U си = const. Выражение для крутизны характеристики в рабочей точке ПТ получим, используя (1)
|
|
S = S макс (1- U зи/ U отс),(2)
где U зи – напряжение затвор – исток, при котором вычисляется S;
Максимальное значение крутизны характеристики S макс достигается при U зи= 0. При этом численное значение S макс равно проводимости канала ПТ при нулевых смещениях на его электродах.
S макс = −2(I c0/ U отс). (3)
Соотношение (3) позволяет по двум известным параметрам рассчитать третий. Для большинства маломощных ПТ S лежит в пределах 2¸10 мА/В.
Крутизна характеристики полевых транзисторов на 1-2 порядка меньше, чем у биполярных транзисторов, поэтому при малых сопротивлениях нагрузки коэффициент усиления каскада на ПТ К u = S R c (R c – сопротивление в цепи стока) меньше коэффициента усиления аналогичного каскада на биполярном транзисторе.
В большинстве случаев крутизну характеристики полевых транзисторов считают частотно-независимым параметром. Поэтому быстродействие электронных схем на ПТ ограничено в основном паразитными параметрами схемы.
Внутреннее сопротивление канала Ri определяется выражением Ri = ∂ U си/∂ I с при U зи = соnst.
Это сопротивление при U си = 0 и произвольном смещении U зи можно выразить через параметры транзистора:
. (4)
При малом напряжении исток–сток вблизи начала координат выходной характеристики ПТ ведет себя как переменное омическое сопротивление, зависящее от напряжения на затворе. Минимальное значение сопротивления канала Ri 0 наблюдается при U зи = 0. При увеличении обратного напряжения на затворе сопротивление канала нелинейно увеличивается. Значение Ri 0 определяется по стоковой характеристике транзистора как тангенс угла наклона касательной к кривой I с = f (U с) при U з = 0 в точке U cи = 0.
|
|
Для приближенных расчетов имеет место простое соотношение:
Ri 0»1/ S макс. (5)
Коэффициент усиления mо пределяется как изменение напряжения стока к вызвавшему его изменению напряжения на затворе при I c = const:
μ = −∂ U си/∂ U зи. (6)
Изменение тока стока связано с изменением напряжением на затворе и изменением напряжения на стоке
∂ I c = S ∂ U зи + ∂ U си / Ri.
Если ∂ I c = 0, то
S ∂ U зи + ∂ U си / Ri = 0,
разделив на ∂ U си и с учетом (6) после несложных преобразований получим связь между тремя параметрами
S Ri. = μ. (7)
Максимальные напряжения затвор – сток, затвор – исток, исток – сток. При превышении допустимых значений напряжения между электродами транзистора возможен лавинный пробой перехода затвор-канал.
Обратное напряжение диода затвор–канал изменяется вдоль длины затвора, достигая максимального значения у стокового конца канала. Именно здесь происходит пробой полевого транзистора. Лавинный пробой не приводит к выходу из строя ПТ с управляющим p – n -переходом, если он не переходит в тепловой пробой. После возвращения в нормальный рабочий режим ПТ восстанавливают свою работоспособность.
Типичные значения параметров маломощного полевого транзистора КП-303В с p – n -переходом и каналом n -типа:
Начальный ток стока I c0 = 2 ÷ 5 мА при U си = 10 В, U зи = 0.
Напряжение отсечки U отс = −1 ÷ − 4 В при U си = 10 В, I c = 10 мкА.
Крутизна проходной характеристики при U си = 10 В, U зи = 0, S = 2 ÷ 5 мА/В.
Внутреннее сопротивление Ri = 0,02 ÷ 0,5 Мом.
Ток утечки затвора I з = 1 нА при U зи = 10 В, U си = 0.
Емкость входная С зи не более 6 пФ.
Емкость проходная С зс не более 2 пФ.
Максимальное напряжение затвор–сток, затвор–исток
U зс max = 30 В.
Максимальное напряжение сток-исток U си max = 25 В.
Максимальный ток стока I c max = 20 мА.
Максимальная рассеиваемая мощность при Т ≤ 25ºС
Р max = 200 мВт.
Диапазон температур окружающей среды Т от –40 до +85 ºС.