double arrow

Спрямленная характеристика диодов

Классификация диодов.

Обратное включение p-n перехода.

Прямое включение p-n перехода.

Литература

C# и WPF:

1. Рихтер, Джеффри. CLR via C#. Программирование на платформе Microsoft .NET Framework 2.0 на языке C#.

2. Троелсен, Эндрю. Язык программирования C# 2010 и платформа .NET 4.

3. Шилдт, Герберт. C# 4.0 полное руководство.

4. Албахари, Джозеф; Албахари, Бен. C# 3.0. Справочник.

5. Мак-Дональд, Мэтью. WPF: Windows Presentation Foundation в .NET 4.0 с примерами на C# 2010.

Java:

6. Хорстман, Кей С.; Корнелл, Гари. Java 2. Библиотека профессионала, том 1. Основы.

7. Хорстман, Кей С.; Корнелл, Гари. Java 2. Библиотека профессионала, том 2. Тонкости программирования.

Шаблоны проектирования::

8. Гамма, Эрих; Хелм, Ричард; Джонсон, Ральф; Влиссидс, Джон. Приемы объектно-ориентированного проектирования. Паттерны проектирования.

тепловой ток насыщения, единицы, десятки мА

В при С

При прямой полярности приложенного к p-nпереходу напряжения внешнее электрическое поле направлено на встречу внутреннему электрическому полю, оно его ослабляет, что приводит к увеличению диффузионного движения основных носителей диффузионного тока.

При обратной полярности приложенного к p-nпереходу напряжения внешнее электрическое поле направлено согласно с внутренним электрическим полем, оно его усиливает. Это препятствует диффузионному движению основных носителей заряда ( ). Через p-nпротекает дрейфовый ток не основных носителей. Т.к. концентрация не основных носителей на 3-4 порядка меньше, чем концентрация основных носителей заряда, то , за счет этого p-nпереход обладает односторонней проводимостью.

При чрезмерном увеличении приложенного к p-nпереходу напряжения происходит лавинное умножение (концентрация

неосновных носителей заряда), что приводит к чрезмерному увеличению обратного тока при почти неизменном обратном напряжении. Если быстро отключить обратное напряжение, то не происходит разрушение p-nперехода. Если при лавинном пробое длительно приложено обратное напряжение и осуществляется недостаточный теплоотвод, то происходит тепловой (необратимый) пробой, происходит расплавление и разрушение p-nперехода. p-nпереход является основной частью полупроводникового диода.

Классификацию диодов производят по шести основным видам:

I) По типу использованного материала: кремний, арсенид галлия и т.д.

II) По площади p-nперехода: плоскостные и точечные.

III) По величине тока: 1) маломощные (до 10А)

2) средний уровень тока (до 100А)

3) мощные (более 100А)

IV) По напряжению: 1) низковольтные (до 100В)

2) средний уровень напряжения (до 1000В)

3) высоковольтные (более 1000В)

V) По частоте: 1) низкочастотные (до 400Гц)

2) среднечастотные (до 20кГц)

3) высокочастотные (более 20кГц)

VI) По назначению: 1) выпрямительные

2) параметрические (стабилитроны)

Допускаемая температура у кремневых диодов 130°С, у германиевых - 60°С.

В схемах выпрямителей и инверторов более высокой частоты, чем 50 Гц применяют не выпрямительные, а частотные диоды D4 до 4000А, время обратного восстановления t = 0.3 мкс (до единиц микросекунд)

Упрощенная схема замещения диода

Rоб
U
Uдиода
С

С=Сдифбар


3) Диоды лавинные


Сейчас читают про: