2014-02-02
406
Классификация диодов.
Обратное включение p-n перехода.
Прямое включение p-n перехода.
Литература
C# и WPF:
1. Рихтер, Джеффри. CLR via C#. Программирование на платформе Microsoft.NET Framework 2.0 на языке C#.
2. Троелсен, Эндрю. Язык программирования C# 2010 и платформа.NET 4.
3. Шилдт, Герберт. C# 4.0 полное руководство.
4. Албахари, Джозеф; Албахари, Бен. C# 3.0. Справочник.
5. Мак-Дональд, Мэтью. WPF: Windows Presentation Foundation в.NET 4.0 с примерами на C# 2010.
Java:
6. Хорстман, Кей С.; Корнелл, Гари. Java 2. Библиотека профессионала, том 1. Основы.
7. Хорстман, Кей С.; Корнелл, Гари. Java 2. Библиотека профессионала, том 2. Тонкости программирования.
Шаблоны проектирования::
8. Гамма, Эрих; Хелм, Ричард; Джонсон, Ральф; Влиссидс, Джон. Приемы объектно-ориентированного проектирования. Паттерны проектирования.
тепловой ток насыщения, единицы, десятки мА
В при С
При прямой полярности приложенного к p-n переходу напряжения внешнее электрическое поле направлено на встречу внутреннему электрическому полю, оно его ослабляет, что приводит к увеличению диффузионного движения основных носителей диффузионного тока.
|
|
|
При обратной полярности приложенного к p-n переходу напряжения внешнее электрическое поле направлено согласно с внутренним электрическим полем, оно его усиливает. Это препятствует диффузионному движению основных носителей заряда (). Через p-n протекает дрейфовый ток не основных носителей. Т.к. концентрация не основных носителей на 3-4 порядка меньше, чем концентрация основных носителей заряда, то, за счет этого p-n переход обладает односторонней проводимостью.
При чрезмерном увеличении приложенного к p-n переходу напряжения происходит лавинное умножение (концентрация
неосновных носителей заряда), что приводит к чрезмерному увеличению обратного тока при почти неизменном обратном напряжении. Если быстро отключить обратное напряжение, то не происходит разрушение p-n перехода. Если при лавинном пробое длительно приложено обратное напряжение и осуществляется недостаточный теплоотвод, то происходит тепловой (необратимый) пробой, происходит расплавление и разрушение p-n перехода. p-n переход является основной частью полупроводникового диода.
Классификацию диодов производят по шести основным видам:
I) По типу использованного материала: кремний, арсенид галлия и т.д.
II) По площади p-n перехода: плоскостные и точечные.
III) По величине тока: 1) маломощные (до 10А)
2) средний уровень тока (до 100А)
3) мощные (более 100А)
IV) По напряжению: 1) низковольтные (до 100В)
2) средний уровень напряжения (до 1000В)
3) высоковольтные (более 1000В)
V) По частоте: 1) низкочастотные (до 400Гц)
|
|
|
2) среднечастотные (до 20кГц)
3) высокочастотные (более 20кГц)
VI) По назначению: 1) выпрямительные
2) параметрические (стабилитроны)
Допускаемая температура у кремневых диодов 130°С, у германиевых - 60°С.
В схемах выпрямителей и инверторов более высокой частоты, чем 50 Гц применяют не выпрямительные, а частотные диоды D4 до 4000А, время обратного восстановления t = 0.3 мкс (до единиц микросекунд)
Упрощенная схема замещения диода
| Rоб |
| U |
| Uдиода |
| С |
С=Сдиф+Сбар
3) Диоды лавинные
