2014-02-02
486
Активный режим
Режим отсечки транзистора
Эмиттерный и коллекторный p-n-переходы смещаются в обратном направлении.
Эмиттерный p-n- переход смещен в прямом направлении
Коллекторный p-n- переход в обратном
Эмиттерный и коллекторный p-n- переходы смещены в обратном направлении
При увеличении уменьшается напряжение на прямо смещенном коллекторном переходе, при этом ток «коллекторного перехода» уменьшается а основной ток коллектора резко падает.
Биполярные транзисторы различают:
1. по типу использованного материала
2. по технологии изготовления
3.по частоте до 3 МГц – низкочастотные
до 30 МГц – среднечастотные
до 300 МГц – высокочастотные
> 300 МГц – сверх высокочастотные
4. по допустимой рассеиваемой мощности
до 0,5 Вт – маломощные транзисторы
до 1,0 Вт – среднего уровня мощности
> 1,5 Вт – мощные транзисторы
5. по напряжению
до 100 В Н.В транзисторы
до 1000 В Среднего уровня напряжения
> 1000 В В.В. транзисторы
В справочнике а биполярные транзисторы задают Ic,max, Uce,max, h, α, β, Rτ, Rc.
Полевой транзистор с изолированным затвором.
Полевой транзистор – полупроводниковый прибор с управляемым каналом для тока создаваемый носителями заряда одного знака.
Устройство и принцип действия транзистора
с затвором в виде p-n-перехода.
Основу полевого транзистора с проводимостью, например n-типа, составляют пластины полупроводникового материала с двух сторон которого образованы p-области.
p-области соединены между собой и к ним подводится вывод который называется затвор. К самой пластине подводится два вывода: один называется исток, из этого вывода носители заряда втекают в канал, второй вывод называется сток, в этот вывод носители зарядов вытекают из канала.
Между D и S подают низковольтное управляющее напряжение, которое смещает p-n G S в обратном направлении.
Между D и S падают высокое рабочее напряжение, которое смещает p-n-переход G D в обратном направлении.
1.
При увеличении увеличивается объемный заряд в p-n-переходе. Он расширяется за счет высокоомной n-области, при этом сечение канала уменьшается, а сопротивление увеличивается.
2.
рис. а
При =0 и объемный заряд сосредоточенный в p-n-переходе увеличивается от истоку к стоку, за счет этого сечение канала уменьшается в направлении то истока к стоку.
3.
При и можно эффективно изменять ток стока за счет изменения.
В первой области выходных характеристик (рис. а) сечение канала почти не изменяется, линейно возрастает при возрастании.
Во второй области выходных характеристик (рис. а) зоны объединенные носителями смыкаются в районе стока и поэтому при увеличении сечение канала уменьшается, а сопротивление канала возрастет и несмотря на увеличение то возрастает незначительно.
В третей области выходных характеристик происходит пробой p-n-перехода между стоком и затвором и резкое увеличение.
сток-затворная характеристика
при =0 называют напряжение затвор.
Лекция№5
Тиристоры.
Тиристор - четырёхслойный полупроводниковый прибор с проводимостью p-n-p-n типа, обладающий двумя устойчивыми состояниями:
1) Состояние высокой проводимости
2) Состояние низкой проводимости
