double arrow

Режим насыщения

Активный режим

Режим отсечки транзистора

Эмиттерный и коллекторный p-n-переходы смещаются в обратном направлении.

Эмиттерный p-n-переход смещен в прямом направлении

Коллекторный p-n-переход в обратном

Эмиттерный и коллекторный p-n-переходы смещены в обратном направлении

При увеличении уменьшается напряжение на прямо смещенном коллекторном переходе, при этом ток «коллекторного перехода» уменьшается а основной ток коллектора резко падает.

Биполярные транзисторы различают:

1. по типу использованного материала

2. по технологии изготовления

3.по частоте до 3 МГц – низкочастотные

до 30 МГц – среднечастотные

до 300 МГц – высокочастотные

> 300 МГц – сверх высокочастотные

4. по допустимой рассеиваемой мощности

до 0,5 Вт – маломощные транзисторы

до 1,0 Вт – среднего уровня мощности

> 1,5 Вт – мощные транзисторы

5. по напряжению

до 100 В Н.В транзисторы

до 1000 В Среднего уровня напряжения

> 1000 В В.В. транзисторы

В справочнике а биполярные транзисторы задают Ic,max, Uce,max, h, α, β, Rτ, Rc.

Полевой транзистор с изолированным затвором.

Полевой транзистор – полупроводниковый прибор с управляемым каналом для тока создаваемый носителями заряда одного знака.

Устройство и принцип действия транзистора

с затвором в виде p-n-перехода.

Основу полевого транзистора с проводимостью, например n-типа, составляют пластины полупроводникового материала с двух сторон которого образованы p-области.

p-области соединены между собой и к ним подводится вывод который называется затвор. К самой пластине подводится два вывода: один называется исток, из этого вывода носители заряда втекают в канал, второй вывод называется сток, в этот вывод носители зарядов вытекают из канала.

Между D и S подают низковольтное управляющее напряжение, которое смещает p-n G S в обратном направлении.

Между D и S падают высокое рабочее напряжение, которое смещает p-n-переход G D в обратном направлении.

1.

При увеличении увеличивается объемный заряд в p-n-переходе. Он расширяется за счет высокоомной n-области, при этом сечение канала уменьшается, а сопротивление увеличивается.

2.

рис. а

При =0 и объемный заряд сосредоточенный в p-n-переходе увеличивается от истоку к стоку, за счет этого сечение канала уменьшается в направлении то истока к стоку.

3.

При и можно эффективно изменять ток стока за счет изменения .

В первой области выходных характеристик (рис.а) сечение канала почти не изменяется, линейно возрастает при возрастании .

Во второй области выходных характеристик (рис.а) зоны объединенные носителями смыкаются в районе стока и поэтому при увеличении сечение канала уменьшается, а сопротивление канала возрастет и несмотря на увеличение то возрастает незначительно.

В третей области выходных характеристик происходит пробой p-n-перехода между стоком и затвором и резкое увеличение .

сток-затворная характеристика

при =0 называют напряжение затвор.

Лекция№5

Тиристоры.

Тиристор - четырёхслойный полупроводниковый прибор с проводимостью p-n-p-nтипа, обладающий двумя устойчивыми состояниями:

1) Состояние высокой проводимости

2) Состояние низкой проводимости


Сейчас читают про: