Образование электронно-дырочного перехода

Ввиду неравномерной концен­трации на границе раздела р и n полупроводника возникает диффузионный ток, за счет ко­торого электроны из n-области переходят в р-область, а на их месте остаются некомпенси­рованные заряды положительных ионов донорной примеси. Электроны, приходящие в р-область, рекомбинируют с дырками, и возникают некомпенсированные заряды отрицатель­ных ионов акцепторной примеси. Ширина р-n перехода - десятые доли микрона. На грани­це раздела возникает внутреннее электрическое поле р-n перехода, которое будет тормозя­щим для основных носителей заряда и будет их отбрасывать от границы раздела.

Для неосновных носителей заряда поле будет ускоряющим и будет переносить их в область, где они будут основными. Максимум напряженности электрического поля - на границе разде­ла.

Распределение потенциала по ширине полупроводника называется потенциальной диаграм­мой. Разность потенциалов на р-n переходе называется контактной разностью потенциалов или потенциальным барьером. Для того, чтобы основной носитель заряда смог преодолеть р-n переход, его энергия должна быть достаточной для преодоления потенциального барьера.