Если в кристалл германия или кремния добавить примесь элементов третьей или пятой групп таблицы Менделеева, то такой полупроводник называется примесным. Примеси могут быть донорного и акцепторного типов.
Примесный атом, создающий в запрещенной зоне энергетический уровень, занятый в невозбужденном состоянии электронами и отдающий в возбужденном состоянии электрон в зону проводимости, называют донором.
Примесный атом, создающий в запрещенной зоне энергетический уровень свободный от электронов в невозбужденном состоянии и способный захватить электрон из валентной зоны при возбуждении, создавая дырки в валентной зоне, называют акцептором.
Рассмотрим образование примесных полупроводников.
При внесении в предварительно очищенный кремний, германий примеси пятивалентного элемента - донора (фосфор Р, сурьма Sb, мышьяк As) атомы примеси замещают основные атомы в узлах кристаллической решетки (рисунок 1.13, а).
При этом четыре из пяти валентных электронов атома примеси образуют ковалентные связи с четырьмя соседними атомами полупроводника. Пятый электрон оказывается избыточным (рисунок 1.13, б).
|
|
Энергия ионизации донорных атомов значительно меньше энергии ионизации собственных полупроводников. Поэтому при комнатной температуре избыточные электроны примеси возбуждаются и переходят в зону проводимости. Атомы примесей, потерявшие избыточный электрон, превращаются в положительные ионы.
Рисунок 1.13 – Структура и зонная диаграмма полупроводника с донорной примесью
Количество электронов NД, переходящих под действием тепловой энергии в зону проводимости с донорного уровня WД, значительно превышает количество электронов ni переходящих в зону проводимости из валентной зоны в процессе генерации пар электрон - дырка. Поэтому можно считать, что концентрация электронов проводимости полностью определяется концентрацией донорной примеси nn << Nд, а концентрация дырок составляет:
(1.18)
Концентрация дырок в донорном полупроводнике значительно ниже, чем в собственном полупроводнике. В связи с этим дырки рn являются неосновными носителями, а электроны nn - основными.
Рисунок 1.14 – Структура и зонная диаграмма полупроводника
с акцепторной примесью
Поэтому донорный полупроводник называется электронным полупроводником или полупроводником n - типа.
При добавлении в кристалл германия или кремния примеси трехвалентного элемента - акцептора (галлий Ga, индий In, бор В) атомы примеси замещают в узлах кристаллической решетки атомы полупроводника. Для образования четырех ковалентных связей не хватает одного валентного электрона атомов примеси (рисунок 1.14, а).
|
|
Достаточно небольшой внешней энергии, чтобы электроны из верхних уровней валентной зоны переместились на уровень примеси, образовав недостающие ковалентные связи (рисунок 1.14, б).
При этом в валентной зоне появляются избыточные уровни (дырки), которые участвуют в создании электрического тока. За счет ионизации атомов исходного материала часть электронов из валентной зоны попадают в зону проводимости. Число дырок в акцепторном полупроводнике превышает число электронов:
(1.19)
где Na - концентрация атомов акцепторной примеси.
Поэтому дырки рр являются основными носителями, а электроны nр - неосновными. Полупроводники с акцепторной примесью носят название дырочных, или полупроводников p-типа.