Диапазон рабочих температур, определяемый свойствами p-n-переходов, такой же, как и у полупроводниковых диодов. Особенно сильно на работу транзисторов влияет нагрев и менее существенно - охлаждение.
При нагреве особенно существенное влияние на работу транзистора оказывает обратный неуправляемый ток коллектора (
), значения которого при практических расчетах может быть получено по известной формуле «удвоения».
Влияние тока
в различных схемах включения различно.
При включении по схеме с ОБ:

Изменения
(t°C) – незначительны, т.к.
,а

Поэтому
(t°C) изменяется несущественно.
При включении транзистора по схеме с ОЭ имеем:

Зависимость
в схеме с ОЭ более существенна, чем в схеме с ОБ, т.к. даже при небольших значениях
при нормальной температуре
- может иметь существенную зависимость.
Особенно сильное проявление этой зависимости происходит при токах базы, соизмеримых с изменяемыми
.

Из рассуждений следует, что
поэтому схема транзистора с ОБ обладает более высокой температурной стабильностью, чем схема с ОЭ.






