2014-02-02
453
Дробовые шумы.
Являются преобладающими для большинства полупроводниковых приборов. Основным источником дробовых шумов является сам p-n переход. При прохождении носителей заряда под потенциальным барьером p-n перехода возникают флуктуации дрейфовой и диффузионной составляющих p-n перехода вследствие хаотического теплового движения носителей заряда. Это явление аналогично флуктуации тока эмиссии электронов и раскаленного катода.
Отличаются характерным спектральным распределением пропорционально отношению 
, где n в большинстве практических случаев численно близка к единице. В реальных полупроводниковых приборах происхождение низкочастотных шумов определяется процессами на границе раздела окисел-полупроводник, окисел-проводник. Среднеквадратичное напряжение низкочастотного шума:
приближенное равенство из-за невозможности определения сопротивления поверхности, т. к. оно определяется загрязнением поверхности.
