Закон Бойля − Мариотта
| Р | |
| V |
изоТермический
| Р = c o n s t V1 V2 ----- = ----- Т1 Т2 |
| V | |
| Т |
Закон Гей-Люссака
изоБарный
| V = c o n s t Р1 Р2 ----- = ----- Т1 Т2 |
Закон Шарля
| Р | |
| Т |
изоХорный
| А8. |
| А9. |
+
Тепловые явления:
- нагревание (охлаждение), Q = c · m · Δtº, где с – удельная теплоёмкость.
- плавление (кристаллизация), Q = ± λ · m, где λ – удельная теплота плавления.
- парообразование (конденсация), Q = ± r · m, где r – удельная теплота парообразования.
- сгорание, Q = q · m, где q – удельная теплота сгорания.
При плавлении (кристаллизации), парообразовании (конденсации) t0 = соnst!!!
| А100. |
| А110. |
+
Р ρ
Относительная влажность воздуха: φ = ----- · 100 %, φ = ----- · 100 %
Р0 ρ0
Термодинамика:
3 m 3
- внутренняя энергия, U = --- · ---- · R · Т, U = --- · Р · V.
2 μ 2
- работа газа, А' = − А.
- работа внешних сил, А' = Р · ΔV, где ΔV = (V2 − V1) − изменение объёма,
m
А' = --- · R · ΔТ, где ΔТ = (Т2 − Т1) − изменение температуры.
μ
Уравнение теплового баланса: Q1 + Q2 + … + Qn = 0.
I начало термодинамики: ΔU = А + Q, ΔU = Q − А'.
Применение I начала термодинамики для изопроцессов:
1) Т = const: ΔU = 0 Дж, ==> А' = Q.
2) Р = const: ΔU = А + Q, ΔU = Q − А'.
3) V = const: А' = Р · ΔV, А' = 0, ==> ΔU = Q.
4) адиабатный: Q = 0 Дж, ==> ΔU = А.
| А120. |

Q1 – количество теплоты, полученное от нагревателя,
Q2 – количество теплоты, отданное холодильнику,
А' = (Q1 − Q2) – работа, совершённая рабочим телом (газом).
КПД тепловой машины:
А' | Q1 – Q2 | | Q2 |
η = ------- · 100 %, η = -------------- · 100 %, η = 1 − ------- · 100 %
| Q1 | | Q1 | | Q1 |
Т1 – Т2 Т2
η = ---------- · 100 %, η = 1 − ---- · 100 %
Т1 Т1
| А130. |
| А190. |
+
| q1 | · | q2 |
Закон Кулона: Fк = k · --------------, где ε – диэлектрическая проницаемость среды,
ε · r2 k = 9 · 109 Н·м2/Кл2.
Fк | q0 |
Напряжённость электрического поля: Е = -----, Е = k · -------.
q ε · r2
σ
Напряжённость электрического поля плоского конденсатора: Е = -------, где
ε · ε0
σ = | q | / S – плотность заряда.
τ
Напряжённость электрического поля тонкой проволоки: Е = --------------, где
2 · π · ε · ε0
τ = | q | / ℓ – линейная плотность заряда.
| q |
Напряжённость электрического поля сферы: Е = -------------------.
4 · π · ε · ε0 · r2
Wр
Потенциал: φ = -----.
q
| q |
Потенциал сферы: φ = -------------------.
4 · π · ε · ε0 · r
А
Напряжение (разность потенциалов): U = φ1 − φ2, U = ----.
q
Связь между напряжённостью и напряжением: U = Е · d.
ε · ε0 · S q
Электроёмкость плоского конденсатора: С = ------------, С = ----.
d U
С · U2 q2 q · U
Энергия электрического поля конденсатора: Wэ = --------, Wэ = ------, Wэ = -------.
2 2 · С 2
| А140. |
| А240. |
| А2570. |
| А190. |
+ + +
Постоянный ток:
q
- сила тока, I = ---, I = | q | · n · S · υ.
t
ρ · ℓ
- сопротивление проводника, R = -------, где ρ – удельное сопротивление проводника,
S ℓ − длина проводника,
S – площадь поперечного сечения.
U
- закон Ома для участка цепи, I = ----.
R
- закон Джоуля – Ленца, Q = I2 · R · Δt.
- ЭДС источника тока, ε = I · R + I · r.
ε
- закон Ома для полной цепи, I = -------, где r – внутреннее сопротивление,
R + r R – внешнее сопротивление.
- мощность тока, Р = I · U.
- закон электролиза (закон Фарадея), m = k ·I · t, где k – электрохимический эквивалент.
| Последовательное соединение: 1) Iобщ = I1 = I2 2) Uобщ = U1 + U2 3) Rобщ = R1 + R2 Rобщ = R1 · n 4) U1 R1 ---- = ---- U2 R2 1 1 1 5) --------- = ---- + ---- Собщ С1 С2 | Параллельное соединение: 1) Iобщ = I1 + I2 2) Uобщ = U1 = U2 1 1 1 3) --------- = ---- + ---- R общ R1 R2 R1 · R2 Rобщ = ---------- R1 + R2 Rобщ = R1 / n 4) I1 R2 ---- = ---- I2 R1 5) Собщ = С1 + С2 |
R
ε общ = ε1 + ε2 − ε3
Rобщ = R + r1 + r2 + r3.
|
| А150. |
Электромагнитное поле:
R
ε общ = ε1 + ε2 − ε3
Rобщ = R + r1 + r2 + r3.






