Введение. Цифровые микросхемы эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ) пред­ставляют собой транзисторные схемы с объединенными эмиттерами и обладают по сравнению с другими

Цифровые микросхемы эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ) пред­ставляют собой транзисторные схемы с объединенными эмиттерами и обладают по сравнению с другими типами цифровых ЛЭ наиболь­шими быстродействием и потребляемой мощностью. Большое быстродействие (по-другому — малое среднее время задержки распростра­нения) для схем ЭСЛ обусловливается тем, что в этих элементах транзисторы работают в ненасыщенном (линейном) режиме. На вы­ходах применяются эмиттерные повторители, ускоряющие процесс заряда емкости нагрузки. Уменьшение времени задержки распрост­ранения достигается также за счет ограничения перепада выходно­го напряжения, что, однако, приводит к уменьшению помехоустой­чивости схем ЭСЛ. Из разработанных в последние годы цифровых микросхем ЭСЛ наибольшее распространение получили серии К100 и К500, являющиеся аналогами широко известной зарубежной се­рии МС10000 (первоначальный разработчик — фирма Motorola)

Основным элементом аналоговых микросхем являются транзисторы (биполярные или полевые). Разница в технологии изготовления транзисторов существенно влияет на характеристики микросхем. Поэтому нередко в описании микросхемы указывают технологию изготовления, чтобы подчеркнуть тем самым общую характеристику свойств и возможностей микросхемы. В современных технологиях объединяют технологии биполярных и полевых транзисторов, режим работы которых подобран так, чтобы они не входили в режим насыщения, — что существенно повышает быстродействие, улучшает характеристики микросхем.

Микросхемы, изготовленные по эмиттерно-связанной логике, являются быстродействующим классом ИМС (интегральной инжекционной логики), но при этом имеют большую потребляемую мощность.

Рисунок 1- Схема базового элемента ИМС ЭСЛ-типа.

Постоянный эмиттерный ток базового элемента (рис. 1) распределяется между двумя эмиттерами эмиттерно-связанных транзисторов в зависимости от того, какой из них имеет большее напряжение на базе. Транзисторы работают между активным режимом и отсечкой, в результате чего схема не входит в режим насыщения, что увеличивает ее быстродействие.