2014-02-09
1230
Канал n-типа
Канал р-типа
Полевой транзистор с изолированным затвором — это полевой транзистор, затвор которого отделён в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика.
Существуют две разновидности МДП-транзисторов: с индуцированным каналом и со встроенным каналом.
В МДП-транзисторах с индуцированным каналом проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока отсутствует и, следовательно, заметный ток стока появляется только при определённой полярности и при определённом значении напряжения на затворе относительно истока, которое называют пороговым напряжением.
В МДП-транзисторах со встроенным каналом у поверхности полупроводника под затвором при нулевом напряжении на затворе относительно истока существует инверсный слой — канал, который соединяет исток со стоком.
Выходная характеристика у полевого транзистора как у биполярного.
Стокозатворная характеристика – это зависимость тока стока (Ic) от напряжения на затворе (Uзи) для транзисторов с каналом n-типа.
Эквивалентная схема
В схеме приняты следующие обозначения: L3, Lи, Lc — индуктивности выводов затвора, истока и стока; r з — сопротивление потерь в металле затвора; rи и rс — сопротивления потерь неуправляемых участков канала со стороны истока и стока; Си, Сс —емкости обедненного слоя под затвором со стороны истока и стока; Rкан — сопротивление управляемой части канала и переходного слоя между каналом и обедненной областью со стороны истока (аналогичным сопротивлением со стороны стока пренебрегаем из-за его малости по сравнению с сопротивлением емкости Сс); Сси — емкость между контактами сток — исток. Свойства полевого транзистора как АЭ отражены включением в схему генератора тока ic, зависящего от управляющего напряжения иу на емкости Си.
Достоинства полевых транзисторов:
- малое сопротивление накала;
- работают без входных токов;
- высокие частоты до 20ГГц;
- отрицательный температурный коэффициент;
- высокий КПД.
