П/п диодом называют прибор с одним P-N-переходом и двумя
выводами.
Полупроводниковые приборы разделяют на 1) точечные; 2) плоскостные.
По способу внесения примесей: 1) сплавные; 2) диффузионные.
Типы диодов:
1. Выпрямительные диоды предназначены для выпрямления переменных токов.
ВАХ диода
Основные параметры: I пр.max; U пр = (0,5 − 1,5)B;
U обр. max; I обр; P pac.max; C меж.эл; f пред.
Обозначения: Г − германий, К − кремний, А − арсенид галлия.
2. Кремниевые стабилитроны − для стабилизации напряжения. Используется работа при обратной полярности.
ВАХ стабилитрона
Основные параметры: Uст; Iст.min; Iст.max. .
− температурный коэффициент напряжения стабилизации (−0,05 ÷ +0,02)% С.
3. Туннельные диоды, в которых используется туннельный эффект (при эл. пробое происходит тоннелирование электронов из зоны P-слоя в зону N-слоя).
ВАХ туннельного диода
На ВАХ есть участок с отрицательным R д.
Основные характеристики I п, I п/ I в. Применяются в генераторах ВЧ колебаний, в импульсных переключателях.
|
|
4. Обращенные диоды − разновидность туннельных диодов. Они обладают вентильными свойствами там, где выпрямительные диоды не обладают. I п − ток пика. При I обр имеют наибольшую проводимость.
ВАХ обращенного диода
5. Варикапы − полупроводниковые диоды, у которых ёмкость С с увеличением U обр уменьшается, т.е. это элемент с управляемой емкостью.
Основные параметры: 1) общая емкость Св при U = 2−5 В.
2) К с = С max/ С min = (5÷20) − коэффициент перекрытия по емкости. Применяется в параметрических усилителях, при дистанционном управлении, в системах автоматической подстройки частоты.
Характеристика варикапа
6. Светодиоды, в которых P-N-переход излучает свечение. Этим свойством обладают п/п на основе карбида кремния, арсенида и фосфида галлия.
При прохождении через P-N-переход I пр основные носители заряда инжектируют в соседние слои и рекомбинируют в граничных областях. При рекомбинации выделяется квант эл.-магн. энергии (фотон) количество излучаемого света зависит от I пр. Применяются для контроля работоспособности электронных цепей, индикации (цифровые, буквенные индикаторы).
7. Фотодиоды − используют внутренний фотоэффект.
Может работать в режиме фотогенератора, когда внешний источник ЭДС отсутствует и при освещении поверхности появляется фото-ЭДС, или в режиме фотопреобразователя, когда U внеш подано в запирающем направлении;(участок оа) – фото-ЭДС; (участок об) – фотодиода; на участке аб – работа в режиме фотогенератора; на участке бв – работа в режиме фотопреобразователя.
Схема включения и ВАХ фотодиода
|
|
Солнечные фотоэлементы (батареи) на космических кораблях имеют η > 20%. Мощность солнечной батареи 200 вт/кг массы, 1кВт/м2 поверхности.
Чувствительность интегральная S I = I ф/Ф (для германиевых S I < 20 mA/лм).
8) Оптроны − в одном корпусе содержат источник излучения (светодиод) и приемник излучения (фоторезистор, фотодиод и т.д.).
фоторезисторный оптрон фотодиодный оптрон
Схемы включения оптронов
Оптроны – быстродействующие реле, элементы связи в электронных цепях, информация передается оптически.
9. Магнитодиод − ВАХ изменяется под воздействием магнитного поля.
10. Тензодиод − ВАХ изменяется под воздействием механических деформаций.
11. Высокочастотныей диоды.
12. Импульсные диоды.