Динистор − два выхода, тринистор – три выхода.
Тиристором называют п/п прибор с тремя р - n -переходами. ВАХ имеет участок с отрицательным R диф. Тиристор используется для переключения. Он имеет четырехслойную структуру с тремя переходами П1, П2, П3 (три вывода). Напряжение источника подают так, чтобы П1, ПЗ – были открыты, а П2 – закрыт (рис. 2.27).
Условное обозначение:
с управлением по аноду с управлением по катоду
Так как П1 и П3 открыты, то их сопротивления малы, а у закрытого П2 − велико. Все напряжение U пp приложено к П2, ток I пр − мал.
При некотором U вкл.max происходит лавинообразное увеличение числа носителей заряда в П2, П2 имеет малое сопротивление, растет I пр, значит увеличивается RI пр, а U пр уменьшается (0,5−1) В, происходит переключение тиристора (он открывается).
Схема тринистора
Величина I y − ток наименьшего удержания тиристора. Тиристор открыт до тех пор, пока ток через него превышает I y (КУ 102Г – кремниевый трехэлектродный, разновидность Г).
ВАХ тиристора
|
|
Величину U вкл можно снизить введением не основных носителей заряда тока в слой, прилегающий к П2, с помощью управляющего электрода.
Во избежание пробоя необходимо, чтобы U обр < U обр.max.
Кроме рассмотренных несимметричных тиристоров применяют симметричные, у которых обратная ветвь ВАХ совпадает с прямой (симистор). Это достигается встречно параллельным включением двух четырехслойных структур.
Условное обозначение симметричного триодного тиристора.
Основные параметры тиристоров следующие:
1) предельно допустимый анодный ток в открытом состоянии тиристора I пр.max;
2) предельно допустимое обратное напряжение U обр.max;
3) предельно допустимое прямое напряжение в закрытом состоянии тиристора U пр.max;
4) ток удержания (в открытом состоянии) I y.
Применяются в управляемых выпрямителях и инверторах, коммутационной аппаратуре.
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ (ИМС)
Усложнение электронных устройств, в которых количество элементов достигает сотен тысяч, вызвало:
1) снижение надежности;
2) увеличение габаритов и массы;
3) рост потребляемой энергии;
4) повышение стоимости.
Создание новых изделий перспективно на основе элементной интеграции, т. е. объединения в одном миниатюрном элементе многих простейших элементов (диодов, транзисторов, резисторов). Полученный в результате объединения сложный элемент называют интегральными микросхемами (ИМС).
ИМC − это электронное изделие с высокой плотностью упаковки электрически соединенных элементов, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала (ГОСТ 17021-75).
Плотность упаковки (показатель миниатюризации) − количество элементов в единице объема (до 105 эл/см3).
|
|
Степень интеграции − это количество элементов, входящих в ИМС; до 10 элементов − первая степень; от − 2 до 100 − вторая; до 101 – третья. Современная ИМС − до шестой степени.
Основные достоинства ИМС: высокая надежность, малые размеры и масса, экономичность, быстродействие.
Недостаток: небольшая выходная мощность.
По технологии ИМС делят на:
1) гибридно-пленочные, выполняемые в виде пленок, наносимых на поверхность из диэлектрика (керамика, стекло, пластмасса) и навесных бескорпусных активных элементов (транзисторов, дросселей, конденсаторов), прикрепленных к основанию. С помощью масок и трафаретов на подложке формируются пассивные элементы. Плотность упаковки − 150 эл/см3, степень интеграции − первая, вторая. Обеспечивается высокая точность параметров;
2) полупроводниковые, в которых все элементы формируются в объеме или на поверхности пластинки полупроводника. Изготовление осуществляется в несколько этапов с помощью фотолитографии, диффузии, ионного легирования. Плотность упаковки − 105 эл/см3; степень интеграции – шестая.
По назначению ИМС делят на:
1) линейно-импульсные, в которых обеспечивается приблизительная пропорциональность между входными и выходными величинами (пример, усилитель);
2) логические ИМС, в которых выходное напряжение зависит от наличия или отсутствия напряжения на различных входах устройства. Обозначения ИМС состоит из четырех элементов: первый элемент − обозначает конструкторско-технологическое исполнение: 1, 5, 7 − полупроводниковые, 2, 4, 6, 8 − гибридные, 3 − прочие; второй элемент (две или три цифры) − порядковый номер разработки; третий элемент − две буквы − функциональное назначение; четвертый − порядковый номер разработки ИМС по функциональному признаку.
Пример, КI40УД14А
К − ИМС для широкого применения,
I – полупроводниковая
40 − порядковый номер серии;
УД − операционный усилитель;
14 − порядковый номер операционного усилителя;
А − коэффициент усиления определенного значения.