Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода (рис. 5.4):
.
Явный вид, показывающий зависимость от режима сопротивления коллекторного перехода: , где А – коэффициент, включающий в себя параметры материала транзистора и толщину базы.
Зависимость от температуры объясняется влиянием ее на характеристики материала триода. Зависимость от напряжения по приведенной формуле справедлива при напряжениях значительно меньших пробоя. С ростом начинается ударная ионизация, растет обратный ток коллекторного перехода и уменьшается
.
Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода можно найти из выходных характеристик транзистора, используя формулу определения .