Коэффициент обратной связи по напряжению

Коэффициент обратной связи по напряжению:

.

Его можно найти из входных характеристик транзистора в соответствии с данным определением. В сокращенной форме явный вид таков: , где коэффициент включает в себя параметры материала, из которого сделан транзистор, и толщину базы. Из формулы следует зависимость коэффициента обратной связи по напряжению от режима и температуры (рис. 5.5). Численное значение невелико, составляет десятитысячные доли. Например, при изменении на 10 В вызывает изменение напряжения на эмиттерном переходе около 2 мВ. Знак минус говорит о том, что увеличение коллекторного напряжения (по модулю) уменьшает эмиттерное напряжение.

Следует отметить, что, являясь порождением эффекта Эрли, коэффициент обратной связи зависит от сопротивления базы. У транзистора база состоит из активной и пассивной частей. У пассивной базы толщина не меняется, а у активной меняется. Именно в активной базе идет диффузия носителей, инжектируемых эмиттером. Поэтому активную часть базы характеризуют диффузионным сопротивлением базы . Базы транзисторов, особенно малой геометрии, стремятся свести к чисто активной области. Поэтому будем считать что и одно и то же. Из вспомогательного рисунка (рис. 5.6) следует, что

.

Поделив обе части на , получим:

.

Из этой формулы более наглядно видно то, что с ростом коллекторного напряжения растет , а уменьшается.