Диффузионный резистор – это полоска базового слоя с омическими контактами, полученная путем локальной диффузии.
Рис. 15. Диффузионный резистор
Сопротивление определяется по формуле:
, , где
Rs – удельное поверхностное сопротивление слоя.
r - удельное сопротивление обьёмного диффузного слоя.
При значении Rs=200Ом/ð максимальная мощность равна 0,1 Вт, при точности d = ±0,2%. a»1¸5мм, b»10¸15мкм, эти значения ограничиваются возможностями фотолитографии. Для данных типовых значений максимальное сопротивление равно 20кОм.
Для повышения значения сопротивления изготавливают зигзагообразные конструкции с числом петель N=3. При этом обеспечивается Rmax=50-60кОм, но погрешность составляет 15-20%. Погрешность определяется неточностью процессов диффузии и фотолитографии. Сопротивление таких резисторов зависит от частоты т.к. присутствуют паразитные ёмкости.
Для получения малых номинальных сопротивлений используется низкоомный эпитаксиальный эмиттерный слой (Rs=5-15Ом/ð, d=5-20% и Rmin=3-5Ом).
|
|
Ионно-легированный резистор получают локально-ионной имплантацией примесей, толщина слоя 0,2-0,3 мкм, Rs=10-20кОм/ð, Rmax=300кОм, d=±5-¸10%. Здесь p-область создается диффузией, а n-область – локально-ионной имплантацией примесей.
Рис. 16. Ионно-легированный резистор
Диффузионный конденсатор – это ёмкость созданная на границе обратно смещенного p-n перехода (коллектор - база)
Рис. 17. Диффузионный конденсатор
Емкость диффузионного конденсатора определяется по формуле:
, где
С01, С02 удельная ёмкость донной и боковой части p-n перехода.
Оптимально, когда a=b, то С01 > С02. С01=150пФ/мм2; С02=пФ/мм2 При использовании эмиттерного перехода Cmax в 5-7 раз больше из-за большей удельной ёмкости p-n перехода.
Недостаток заключается в том, что ёмкость зависит от напряжения приложенного к переходу и имеет малую добротность и работает в строго определенной полярности.
Конденсаторы метал-оксид кремния-полупроводник (МОП) – это конденсаторы, нижняя обкладка которых является сильно легированным n+-слоем (слой с низким удельным сопротивлением), а верхняя обкладка – это слой напыленного алюминия.
Рис. 18. МОП конденсатор
Толщина слоя диэлектрика (SiO2) = 0.12-0.05 мкм. Ёмкость определяется как и составляет 350¸650 пФ/мкм. МОП конденсатор работает при любой полярности, но его ёмкость зависит от напряжения и от частоты (ёмкость мала при высоких частотах >2МГц).