double arrow

Инверсный режим биполярного транзистора

Рис. 7.5 Инверсный режим транзистора n-p-n-структуры

Инверсный режим биполярного транзистора n-p-n-структуры показан на рис. 7.5. Инверсный режим симметричен активному. В этом режиме эмиттерный переход закрыт, а коллекторный открыт. Для этого напряжение подается «-» к n-слою, а «+» к p-слою, а напряжение подается «+» к n-слою, а «-» к p-слою. Направления токов эмиттера и коллектора определяется по известному правилу «от плюса к минусу». Ток базы направлен в p-слой, навстречу движению электронов.

Электроны как основные носители проходят через открытый коллекторный переход в базу. Там они становятся неосновными носителями, поэтому проходят далее в эмиттер через закрытый переход. Часть электронов в базе рекомбинирует с дырками, создавая ток базы.

Инверсный режим используется редко, так он аналогичен активному режиму. Однако из-за несимметричности структуры биполярного транзистора его характеристики хуже, чем в активном режиме.


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



Сейчас читают про: