Пересыщенного пара

Схема типовой установки для получения наночастиц из

06.03.2013

Основной процесс был опубликован в 1976 г. Ganqvist и Buhrman [8]. Более поздние описания было сделано Ichinose в 1992 г [9].

Рис 4.1. Схема типовой установки для получения наночастиц из пересыщенного пара: 1-жидкий азот; 2 - система очистки; 3 - источники испарения (А и В); 4 – газ; 5 - воронка; 6 - муфта соединительная; 7 - матрица; 8 - ползун; 9 - насос вакуумный; 10 - пуансон фиксирующий; 11 – ползун; 12 – пуансоны горизонтальные.

Система (рис.4.1) состоит из источника пара, расположенного в вакуумной камере, содержащего смесь инертного газа (Ar или He) и какого-либо другого газа, который выбирается исходя из того, какой материал следует получить. Кислород смешивается с инертным газом для получения оксидов металлов. Аммиак обычно используют для получения нитридов металлов, а соответствующие щелочи или алкены, являющиеся источником углерода, обычно используют для синтеза карбидов металлов. Образование наночастицы происходит, когда достигается пересыщение источника пара. Охлаждение поверхности получаемого порошка обычно осуществляется жидким азотом, источник которого расположен вне вакуумной камеры. Образующиеся частицы осаждаются внизу камеры конвективным потоком, или за счет сочетания силового и конвективного направленного потока, обусловленного различием температуры между источником испарения и холодной поверхностью.

Позднее процесс модернизировали за счет введения системы очистки, предусматривающей попадание частиц в направляющую камеру с последующей прессовкой таблеток (рис. 4.1).