Квантовые ямы на гетероструктурах

Гетероструктурой называется многослойная система, составленная из полупроводниковых слоев с различной шириной запрещенной зоны.

Концентрация носителей в канале гетероструктуры определяется двумя факторами:

1. разрывами зон на гетерогранице ∆Е_с и ∆Е_v;

2. уровнями легирования компонент гетероперехода.

Ge_xSi_1-x│Si

Ge_xSi_1-x│Ge

Двойные гетероструктуры представляют собой тонкий слой узкозонного полупроводника, который зажат с двух сторон широкозонным полупроводником.

Если l>>W