Последовательность основных групп технологических операций при изготовлении биполярных ИС с изоляцией р-п переходом

1. Окисление подложки, ФЛГ по оксиду для вскрытия в нем окна, сквозь которое вводится примесь, формирующая сильно легированный скрытый коллекторный слой (рис 1.4, а).

2. Удаление оксида с поверхности пластины и осаждение эпитаксиального слоя п -типа электропроводности.

3. Окисление пластины, ФЛГ по слою оксида, введение примеси с целью создания разделительных областей, окружающих участок со скрытым коллекторным слоем. Результатом этой группы операций является создание кармана с электропроводностью п -типа, в котором в дальнейшем формируются основные слои транзисторной структуры (рис 1.4, б).

4. Окисление, ФЛГ по оксиду, введение примеси для формирования области базы (рис 1.4, в).

5. Окисление, ФЛГ по оксиду, введение примеси, формирующей области эмиттера и приконтактной области коллектора (рис 1.4, г).

6. Нанесение слоя оксида, ФЛГ по нему с целью вскрытия контактных площадок к областям эмиттера, базы и коллектора (рис 1.4, д).

7. Нанесение слоя металла, ФЛГ по нему – создание рисунка межсоединений, объединяющих ранее созданные элементы ИС в единую электрическую схему.

8. Нанесение слоя защитного диэлектрика, ФЛГ по нему с целью вскрытия площадок для подсоединения к кристаллу внешних выводов.

Если в структуре есть глубокий коллектор, его создают после создания разделительных областей. Затем создается пассивная база (если она предусмотрена в изготовляемой структуре), а уже после нее – активная база.