Примесные полупроводники. Полупроводники, в которые введено небольшое количество атомов примеси, (вещества, валентность которого на 1 отличается от валентности самого полупроводника)

Примеси, увеличивающие число свободных электронов, на­зывают донорными или просто донорами.

Е_anSi=0.04-0.05эВ Е_anGe=0.01-0.03эВ

Полупроводники, в которых концентрация свободных электронов в зоне проводимости превышает концентрацию дырок в валентной зоне, называются полупроводниками, с электронной электропроводностью или полупроводни­ками n-типа.

Подвижные носители заряда, преобладающие в полу­проводнике, называют основными. Соответственно те но­сители заряда, которые находятся в меньшем количестве, называются неосновными для данного типа полупровод­ника.

В полупроводнике n-типа основными носителями (ОНЗ) заряда являются электроны (n_n), а неосновными (ННЗ) – дырки (p_n).

n_n0>> p_n0

Примеси, захватывающие электроны из валент­ной зоны, называют акцепторными или акцепторами.

Е_apSi=0.045-0.072эВ Е_apGe=0.0102-0.0112эВ

Полупроводники, концентрация дырок в валентной зоне которых значительно превышает концентрацию электронов в зоне проводимости, называют полупроводниками с дырочной электропроводностью или полупроводниками р-типа.