Закон Кулона:
, где
, q1, q2 - заряды, расстояние между которыми r, ε - диэлектрическая проницаемость среды ε0 - электрическая постоянная. Напряжённость электрического поля:
.
Поток вектора Е: ФЕ = Е·S∙cosα, где α – угол между вектором Е и нормалью к площадке площадью S.
Теорема Остроградского-Гаусса
.
Напряжённость электрического поля точечного заряда
,
многих точечных зарядов
,
бесконечной равномерно заряженной плоскости
(где
- поверхностная плотность заряда),
бесконечной равномерно заряженной нити
(где
- линейная плотность заряда).
Потенциал поля точечного заряда
.
Связь между напряжённостью и потенциалом неоднородного: 
и однородного электрического поля:
, где d- расстояние между двумя точками.
Электроёмкость уединённого проводника
. Электроёмкость сферы радиусом R
. Электроёмкость плоского конденсатора
,
где S - площадь пластин конденсатора, d - расстояние между ними.
Электроёмкость батареи конденсаторов соединённых:
- последовательно:
,
- параллельно:
.
Энергия, запасённая конденсатором:
=
,
где U = φ1 – φ2 - напряжение между обкладками конденсатора.
Объёмная плотность энергии электрического поля:
.
Сила постоянного тока
. Плотность тока j =
.
Омическое сопротивление проводника: R =
, где ρ - удельное сопротивление,
- длина и S – площадь поперечного сечения проводника.
Закон Ома для участка цепи: I=
. Закон Ома для полной цепи:
, где ε – электродвижущая сила ЭДС, r- внутреннее сопротивление источника тока. Законы Кирхгофа:
;
.
Мощность тока:
. Закон Джоуля-Ленца:
= I2Rt.
Индукция магнитного поля: В = μμ0Н, где Н –напряженность магнитного поля в А/м, μ0 – магнитная постоянная, μ- магнитная проницаемость вещества.
Индукция магнитного поля в центре кругового тока с числом витков N:
, вокруг бесконечно длинного проводника с током
,
вблизи проводника конечной длины с током:
,
внутри соленоида с током
, где R - радиус витков;
- длина соленоида; n =
-плотность витков; α1 и α2 – углы между прямыми, соединяющими точку r с концами проводника и направлением тока.
Сила Ампера:
,где α -угол между вектором
и направлением тока. Магнитный момент контура площадью S с током:
.
Механический момент, действующий на рамку с током в магнитном поле:
, где α - угол между направлениями векторов
и
.
Сила Лоренца:
, где α - угол между вектором
и скоростью частицы
. Магнитный поток:
.
Работа по перемещению проводника с током в магнитном поле: dA = I·dФ.
Индуктивность катушки (соленоида)
.
Поток магнитной индукции в катушке с током:
.
Энергия магнитного поля:
.
Э.д.с. электромагнитной индукции, возникающей при вращении рамки
площадью S и числом витков N в магнитном поле:
,
где ω = 2πν – круговая частота. Э.д.с. самоиндукции:
.
Ток в цепи, содержащей индуктивность, после отключения цепи от источника тока: I = I0
, где I0 ток в цепи в начальный момент времени (t = 0), R и L - омическое и индуктивное сопротивление цепи, соответственно.
Оптический путь световой волны в однородной среде: L = n×s, где s – геометрический путь световой волны, n – показатель преломления среды.
Оптическая разность хода двух лучей:
, где L1 и L2 – оптические пути световых волн.
Условие интерференционных максимумов: Δ = ± 2m
,≈ mλ
Условие интерференционных минимумов: Δ = ± (2m+1)
, где λ – длина световой волны, m = 0, 1, 2, 3…- порядок min или max.
Оптическая разность хода световых лучей в тонких плёнках:
в проходящем свете:
,
в отражённом свете:
+ λ/2,
где d – толщина, n – показатель преломления пленки, i – угол падения света.
Радиусы колец Ньютона:
- светлых в проходящем или темных в отраженном свете:
,
- темных в проходящем или светлых в отраженном свете: 
где R – радиус кривизны линзы, m = 1, 2, 3… – порядок темных или светлых колец, λ – длина световой волны.
Радиусы зон Френеля:
-для сферической волновой поверхности: 
-для плоской волновой поверхности: 
где m = 1, 2, 3…-порядок зон Френеля, а – расстояние от точечного источника света до волновой поверхности, b – наименьшее расстояние от волновой поверхности до точки наблюдения.
Дифракционная решетка: d∙sin
где d – постоянная решетки, m = 0, 1, 2…. -порядок дифракционных максимумов.
Разрешающая способность дифракционной решетки:
,
где Δλ – разность длин волн двух соседних спектральных линий, разрешаемых решеткой, m - порядок спектра, N – общее число щелей решетки.
Формула Вульфа–Брэгга для дифракции рентгеновских лучей: 2d·sin 
где d – расстояние между атомными плоскостями кристалла, θm – угол скольжения рентгеновских лучей, m-
Энергетическая светимость тела:
, где W – энергия излучения, S – площадь излучаемой поверхности, t - время излучения, N - мощность или
Ф - поток излучения.
Закон Стефана – Больцмана:
, где R – энергетическая светимость абсолютно черного тела, Т – термодинамическая температура тела, σ – постоянная Стефана – Больцмана.
Закон смещения Вина:
, где λmax - длина волны, на которую приходится максимум энергии излучения черного тела, b – постоянная Вина.
Энергия фотона: Еф
, где h – постоянная Планка, ν – частота света, λ – длина волны.
Уравнение Эйнштейна для внешнего фотоэффекта: hn = Авых +
,
где Авых – работа выхода электронов из металла, m –масса, vmax – максимальная скорость выбитых фотоэлектронов.
Энергия связи нуклонов в ядре атома: Есв=с2·Δm, где Δm – дефект масс.
Дефект масс: Δm = Z·mp + (А - Z)mn - mЯ, где Z – порядковый номер, А – массовое число элемента, mp – масса протона, mn – масса нейтрона, mЯ – масса ядра.
Изменение энергии при ядерных реакциях: ΔЕ = с2(
,
где ∑m1 – сумма масс частиц и ядер до реакции,
∑m2 – сумма масс частиц и ядер после реакции.






