Лекция №8. 1. 1. Продольный перенос в наноструктурах в электрическом поле

ПРОЦЕССЫ ПЕРЕНОСА В НАНОСТРУКТУРАХ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ

План лекции

1.1. Продольный перенос в наноструктурах в электрическом поле.

Продольный перенос в наноструктурах в электрическом поле.

Электронный перенос в двумерных квантовых гетероструктурах, направленный параллельно потенциальным барьерам на поверх­ности раздела, может рассматриваться в рамках полуклассического подхода, подобно тому, который используется для описания объ­емных объектов. Разумеется, мы должны учесть дополнительные механизмы рассеяния электронов (например, рассеяние на «ше­роховатостях» поверхности раздела), а также особенности низко­размерных систем, изучение продольного переноса в нанострук­турах началось с измерений электронной проводимости вдоль канала полевых МОП-структур. Эти исследования завершились большим успехом, и по их результатам в 70-х годах было начато промышленное производство полевых МОП-транзисторов, осно­ву которых составляют модулированно-легированные квантовые гетероструктуры. Электроны в таких структурах двигаются в об­ласти, свободной от заряженных атомов примесей, вследствие чего их подвижность значительно повышается.

Механизмы рассеяния электронов

Основные механизмы рассеяния электронов при продольном пере­носе в полупроводниковых наноструктурах связаны, как и в объ­емных образцах, с фононами и атомами примесей (заряженными или нейтральными). Кроме того, возникают и дополнительные механизмы, специфические именно для наноструктур (например, упомянутое выше рассеяние на «шероховатостях» поверхности раздела). Ниже все эти механизмы рассматриваются отдельно.