|
Рис. 1.2.7. Образование краевой дислокации (^) в результате частичного сдвига верхней части кристалла под действием усилия : АВСD - плоскость скольжения; EFGН – экстраплоскость;
EН – линия краевой дислокации
Видно, что под влиянием сдвигающего усилия произошел частичный сдвиг верхней части кристалла вдоль некоторой плоскости скольжения («легкого сдвига») АВСD. В результате образовалась экстраплоскость EFGH. Поскольку она не имеет продолжения вниз, вокруг ее края EH возникает упругое искажение решетки радиусом в несколько межатомных расстояний (т.е.» 10-7см – см. тема 1.2.1), протяженность же этого искажения во много раз больше (может доходить до» 0,1…1 см).
Такое несовершенство кристалла вокруг края экстраплоскости является линейным дефектом решетки и называется краевой дислокацией.
Важнейшие механические свойства металлов – прочность и пластичность (см. тема 1.1) – определяются наличием дислокаций и их поведением при нагружении тела.