Примеры построения составных транзисторов ПТ и БТ

ПТ как правило обладает небольшим усилением и меньшей мощностью, чем БТ, но большим R_вх. Составной транзистор ПТ+БТ эквивалентен либо мощному полевому транзистору, либо ПТ с очень большой крутизной.

S ~ 1¸10 мА/В

S_экв ~ 100¸1000 мА/В

В результате обеспечивается как большое R_вх так и большое усиление.

Использование составных транзисторов позволяет либо повысить усиление, либо обеспечить большой ток в нагрузку, либо обеспечивает большое R_вх

Т. к. R_вх составного транзистора выше, чем одиночного, то и R_вх такого усилителя выше и делитель R_б1 и R_б2 может быть сделан более высокоомным для сохранения высокого R_вх схемы.

В составном транзисторе VT₁ работает при малых выходных токах. При малых рабочих токах усилительные параметры транзистора ухудшаются и усиливается температурное влияние. Поэтому, как правило, в составных транзисторах используется дополнительный резистор R_э1, через который обеспечивает протекание токов транзистора VT₁.