Усилительные параметры ДУ в режиме малого сигнала

I_k1*R_k1 @ I_k2*R_k2 < E₁ - U_синф

Оба транзистора находятся в усилительном режиме даже при большом U_синф

R_k1 = R_k2 < R_э

I_э01 = I_э02 = I₀/2 при U_д = 0

Транзисторы одинаковы и через них протекает одинаковый ток.

R_г = 0;

K_u1 =

входное сопротивление VT₁, у которого в цепи эмиттера нагрузка в виде ОБ.

R_вхобТ2 @ r_э2; r_э1 @ r_э2 = 2j_T/I₀

K_u2 =

К_д = DU_вых/DU_д = K_u2 – K_u1 @ bR_k/r_бэ @ R_kI₀/2j_T

Дифференциальный коэффициент усиления ДУ = коэффициенту усиления одиночного транзистора ОЭ.

Усиление ДУ зависит от величины R_k и от режимного тока, следовательно, для увеличения усиления необходимо увеличить R_k

К_с = DU_вых/DU_с = K_u1 + K_u2 @ R_k/2R_э

Синфазный коэффициент усиления зависит от величины R_э и для уменьшения К_с необходимо увеличить R_э

К_осс @ К_д/К_с @ R_э/r_э = R_эI₀/j_T

Для того, чтобы К_осс ® ¥, необходимо, чтобы R_э ® ¥

Простой ДУ не обладает высоким К_осс

R_вхд = 2r_бэ - дифференциальное входное сопротивление между входами.

Входное сопротивление простого ДУ невысокое, соответствует входному сопротивлению ОЭ.

R_вхс - синфазное R_вх - между объединенными входами 1 и 2 и землей.

сопротивлению ОЭ.

R_вхс @ bR_э

R_вых = R_k||1/h_22э - соответствует выходному сопротивлению усилителя ОЭ.