ДУ четвертого поколения

Входные транзисторы VT₁, VT₂ включены по схеме с ОК, поэтому такой ОУ обладает высоким R_вх.VT₁ и VT₂ усиливает по току, но не усиливает по напряжению (т.к. ОК). VT₃, VT₄ – промежуточные транзисторы, включены как ДУ с ОБ. Обеспечивают развязку нагрузки от выходных транзисторов VT₁, VT₂. Т. к. ОБ обладает высоким R_вых, то при динамической нагрузке можно обеспечить предельное усиление по напряжению. VT₅, VT₆, VT₇ – токовое зеркало, динамическая нагрузка для VT₃, VT₄. VT₇ включен по схеме ОК, он выполняет фиксацию потенциала коллектора VT₅ и передачу сигнала напряжения с транзистора VT₃ в цепь выходного транзистора VT₄, VT₆. Всё вместе обеспечивает одиночный однополюсный выход.

Источник тока I₀ задает базовый ток VT₃, VT₄ Þ и токи остальных транзисторов – VT₁ – VT_6, т. е. обеспечивают режим работы этого ДУ.

R_вых такого ДУ высокое Þ чтобы сохранялось высокое усиление необходимо, чтобы последующие каскады также имели высокое R_вх, это можно обеспечить с помощью схемы ОК.

Использование резисторов R_k, R_k2 обеспечивает дополнительные ООС для источника тока, что повышает динамическое сопротивление токового зеркала. Резистор R_э является нагрузкой VT_з.