Способы улучшения характеристик ДУ

1. Повышение К_осс

К_осс = R_э/r_э; R_э® ¥ (желательно)

-Е_пит ­

Для повышения К_осс необходимо увеличивать R_э, но при больших R_э1 и сохранении I₀ необходимо увеличивать напряжение питания, а это ограничивает использование таких усилителей. Выход из ситуации: I₀ = const. По постоянному току цепь имеет небольшое сопротивление, а по переменному - очень большое. В качестве такого элемента используются источники тока.

Если VT₁ º VT₂

R₂ = R₃, то I₁ = I₀ = (E₂ – 0,7 В)/(R₁ + R₂) @ E₂/R₁ приR₁ >> R₂

Такой источник тока обеспечивает режимный ток I₀ для ДУ и обладает высоким эквивалентным (динамическим) сопротивлением как источник тока.

R_э ~ r_к ~ 0,1¸1МОм

Использование источника тока на согласованных транзисторах VT₁ и VT₂ эквивалентно использованию в цепи эмиттеров ДУ большого сопротивления R_э, т. е. такая схема является высокоомной динамической нагрузкой в цепи эмиттера, следовательно

К_осс ~ r_к/ r_э ~ 10³¸10⁵

2. Увеличение R_вх

1) БТ заменяем на ПТ

Использование ДУ на ПТ (в качестве входных транзисторов).

2) Использование входных транзисторов со сверхбольшим b или составных транзисторов.

R_вх ~ r_бэ = bj_т/I₀

3) Использование на входе каскада с ОК.

ДУ составляют VT₁ и VT_2, и они обеспечивают усиление.

VT₃ и VT₄ -буферный каскад ОК на входе ДУ, т. к. это ОК, то

R_вх = R_{вхокт3,т4} >R_вхоэ

I₀ и I₁ - генераторы стабильного тока

I₀ - режимный ток

Источники тока I₁ обеспечивают смещение и режим работы VT₃ и VT₄. Использование источника тока I₁, а не смещающих резисторов, позволяет дополнительно обеспечить высокое R_вх схемы ОК. Однако при этом могут быть ухудшены тепловые параметры (дрейф больше, т. к. элементов на входе стало больше).

3. Увеличение K_u

Для повышения K_u необходимо увеличить R_k, а это связано с повышением питания. Кроме того, в ДУ симметричный выход, поэтому следующий каскад, желательно, чтобы тоже был симметричным. При симметричном выходе сохраняется условие баланса и можно обеспечить согласование режимов по постоянному току, если использовать p-n-p и n-p-n транзисторы. Однако интегральные p-n-p транзисторы имеют худшие характеристики, чем n-p-n.

В качестве нагрузки ДУ может быть использована динамическая нагрузка - это источник тока, в частности - токовое зеркало.

ДУ с динамической нагрузкой с использованием токового зеркала (рисунок).

VT₁ VT₂ - ДУ; VT₃ и VT₄ - токовое зеркало или нагрузка для ДУ.

Такая нагрузка обеспечивает как полное использование токов VT₁ и VT₂ и обеспечивает одиночный выход, что позволяет легко согласовать с последующими усилительными схемами.

Т. к. I₀ = const = i_k1 + i_k2, тогда

Di_k1 = -Di_k2

Di_k1 = Di_k3

Если VT₃ º VT₄, то Di_k4 = Di_k3 = Di_k1

Di_kS^вых = 2Di_k

Т. к. K_u ~ bR_k/r_э

R_k ~ r_к Þ K_u @ br_k/ r_э ~ b(10²¸10⁵)

В этом случае даже при относительно небольшом b обеспечивает высокое усиление по напряжению (больше, чем в 100 раз). Предельное усиление ещё более можно повысить, если использовать многокаскадное токовое зеркало. Таким образом, использование источника тока как в цепях эмиттера, так и в цепях коллектора ДУ позволяет обеспечить высокие усилительные параметры такого ДУ. Т. к. можно на сложном ДУ обеспечивает основное усиление УПТ.