Эл. пар-ры, классификация и система обозначений VTов

Основные Эл. пар-ры VTов, приводимые в справочниках:

- h_21э (β)-диф. коэф-т передачи тока базы;

- I_кбо -обратный ток К;

-f_гр- граничная частота(или f_h21б – предельная частота). Иногда в справочниках вместо f_гр или f_h21б приводится ч-та, при которой измерен диф. коэф-т передачи тока базы. В этом случае граничная частота может быть определена по ф-ле f_гр = h_21э f_изм..

Для многих VTов в справочниках приводятся так же значения постоянной времени цепи ОС r_бc_к и емкости к_го перехода с_к.

К основным параметрам VT относятся также важнейшие параметры предельных режимов, которые рекомендуется не превышать, но при которых еще обеспечивается заданная надежность. Это максимально допустимые:

-Uкбmax-постоянное обратное напряжение К-Б;

-Uкэmax- постоянное напряжение К-Э;

-Iкmax- постоянный ток К;

-Pкmax- мощность на К;

-t_пmax- температура к_го перехода

VTы принято классифицировать в основном по двум наиболее важным показателям: максимально допустимой мощности рассеяния на К и граничной частоте.

По мощности рассеяния VTы делятся на группы: малой мощности(Pкmax до 0,3 Вт), средней(0,3…1,5 Вт) и большой(>1,5 Вт). В свою очередь, VTы каждой из этих групп делятся на низкочастотные (с f_гр до 3МГц), среднечастотные (3…30 МГц) и высокочастотные (>30 МГц). VTы с граничной частотой более 300 МГц относятся к сверхвысокочастотным.

Обозначение VTов согласно ГОСТ 10862-72 состоит из пяти элементов; н-р

КТ312Б – Si VT малой мощности, высокой частоты, № разр. 12, группы Б.

Полевые транзисторы