Ждущий мультивибратор

Ждущие мультивибраторы имеют одно устойчивое состояние, сохраняемое до прихода внешнего запускающего импульса, который переводит мультивибратор в новое, неустойчивое состояние.

Длительность пребывания мультивибратора в неустойчивом состоянии определяется параметрами его времязадающих цепей. Затем происходит возврат в устойчивое состояние. Схема ждущего мультивибратора с эмиттерной связью приведена на рисунке 2.23.

В устойчивом состоянии схемы, при отсутствии запускающих импульсов, транзистор VT 2 открыт положительным смещением, снимаемым с резистора R 5. Протекающий через транзистор ток вызывает положительное по отношению к «земле» падение напряжения U _Э на резисторе R 4. Потенциал базы U _б транзистора VT 1 устанавливается делителем напряжения R l, R 2.

Ток через делитель I _Д и напряжения U _б равны

; .

Резисторы R 1, R 2, R 4 выбирают такими, чтобы U _б1 < U _Э, поэтому транзистор VT 1 в устойчивом состоянии закрыт. Таким образом, емкость оказывается подключенной левой по схеме (рисунок 2.20) обкладкой к источнику питания Е _К, а правой – через открытый переход база-эмиттер транзистора VT 2 к резистору R 4.

Рисунок 2.23 – Схема ждущего мультивибратора

При поступлении на вход схемы запускающего импульса положительной полярности транзистор VT ₁ открывается. При этом левая положительная обкладка конденсатора С _б присоединяется к эмиттеру транзистора VT ₂, а правая (отрицательная) – к его базе. Это приводит к запиранию транзистора VT ₂, что в свою очередь обеспечивает резкое увеличение потенциала на его коллекторе и прерывание тока, протекающего через участок эмиттер-коллектор VT ₂. Теперь через R 4 протекает лишь ток транзистора VT ₁, идущий по цепи + Е _К, R ₃, коллектор-эмиттер VT ₁, R 4, «земля». Резистор R ₃ выбирается большим, чем R ₆, поэтому ток открытого транзистора VT ₁, меньше тока транзистора VT ₂. Следовательно, при переходе в неустойчивое состояние (VT ₁ открыт, VT ₂ закрыт) напряжение U _Э уменьшается. Резистор R 3 выбирают, кроме того, таким, чтобы после окончания действия запускающего импульса выполнялось условие U _б1 > U _Э, обеспечивающее открытое состояние транзистора VT ₁ вплоть до возвращения схемы в устойчивое состояние, причем VT ₁ не должен переходить в режим насыщения. С моментом открывания VT ₁, начинается перезаряд емкости током, протекающим по цепи + Е _К, R ₅, С, коллектор – эмиттер VT ₁, R ₄, «земля».

Напряжение U _б2при этом постепенно возрастает и достигает порога отпирания транзистора VT ₂. VT ₂ отпирается и по цепи + Е _К, R ₆, эмиттер-коллектор VT ₂, R 4, «земля» начинает вновь протекать ток, увеличивающий потенциал U _Э. Условие U _б1 > U _Энарушается и транзистор VT ₁ запирается, возвращая схему в исходное состояние. Одновременно напряжение U _K2 скачком снижается, заканчивая формирование прямоугольного импульса на выходе схемы. Таким образом, ждущий мультивибратор реагирует на поступление короткого запускающего импульса формированием одиночного прямоугольного импульса, длительность которого определяется параметрами времязадающей цепи мультивибратора R _б, С с постоянной времени .