Основные этапы технологии биполярных ИМС

Опишем базовый процесс формирования биполярной ИМС с изоляцией элементов при помощи р — n-перехода на примере интегрального n — р — n-транзистора. Пластина кремния р-типа, отполированная до шероховатости 0,001 мкм, служит исходным материалом.

Bce операции окисления осуществляются для того, чтобы по имеющемуся набору ФШ (масок) при помощи ФЛ вскрыть окна для проведения последующих операций: диффузии, создания кон­тактов и др. Так, первые окисление и ФЛ определяют начальные границы диффузионной области n-типа скрытого слоя коллектора.