Единицей измерения температурного коэффициента электрического сопротивления является

1) %;

2) Ом/оС;

3) 1/оС;

4) мкОм · м.

Единицей измерения электрической прочности диэлектрика является

1) кВ;

2) МВ/м;

3) А/м2;

4) А/м.

Емкость плоского конденсатора с двумя металлическими обкладками

1) обратно-пропорциональна диэлектрической проницаемости;

2) прямо-пропорциональна диэлектрической проницаемости;

3) не зависит от диэлектрической проницаемости;

4) прямо-пропорциональна квадрату диэлектрической проницаемости.

Активная мощность потерь в диэлектрике конденсатора, работающего при переменном напряжении

1) обратно-пропорциональна приложенному напряжению;

2) прямо-пропорциональна приложенному напряжению;

3) не зависит от приложенного напряжения;

4) прямо-пропорциональна квадрату приложенного напряжения.

Активная мощность потерь в диэлектрике конденсатора, работающего при переменном напряжении

1) обратно-пропорциональна частоте приложенного напряжения;

2) прямо-пропорциональна частоте приложенного напряжения;

3) не зависит от частоты приложенного напряжения;

4) прямо-пропорциональна квадрату частоты приложенного напряжения;

Наименьшим удельным электрическим сопротивлением обладает

1) золото;

2) медь;

3) алюминий;

4) вольфрам.

Наибольшим удельным электрическим сопротивлением обладает

1) сталь;

2) медь;

3) алюминий;

4) серебро.

Удельное электрическое сопротивление меди составляет

1) 0,017 мкОм·м;

2) 0,12 мкОм·м;

3) 0,958 мкОм·м;

4) 0,56 мкОм·м.

Температура плавления вольфрама составляет

1) 3380 оС;

2) 1535 оС;

3) 657 оС;

4) 232 оС.

В качестве контактного материала для коррозионно-стойких покрытий лучше всего использовать

1) алюминий;

2) медь;

3) золото;

4) железо.

Для изготовления образцовых резисторов применяется

1) алюминий;

2) медь;

3) золото;

4) манганин.

Температура плавления оловянисто-свинцовых припоев (ПОС) лежит в пределах

1) 145…180 оС;

2) 190…277 оС;

3) 720…765 оС;

4) 825…860 оС.

Верхний предел рабочей температуры полупроводниковых приборов на основе германия составляет

1) 50…60 оС;

2) 75…85 оС;

3) 125…150 оС;

4) 260…280 оС;

Верхний предел рабочей температуры полупроводниковых приборов на основе кремния составляет

1) 50…60 оС;

2) 75…85 оС;

3) 125…170 оС;

4) 280…300 оС;

38. Для измерения температур до 1600 оС можно применять термопару из материалов

1) платиноиридий - платина;

2) медь - константан;

3) железо - константан;

4) хромель - алюмель.

Провод ПЭВ-2 имеет

1) бумажную изоляцию;

2) эмалево - лаковую изоляцию;

3) волокнистую изоляцию;

4) эмалево - волокнистую изоляцию.


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: