Плоскостные диоды

Эти диоды изготавливают в виде пластинки 7 с электронной проводимостью, укрепленной на металлическом держателе 8, представляющим собой нижний контакт P-N- перехода. В пластинках 7 из германия или кремния методом сплавления или диффузии создается плоский по форме электронно- дырочный переход 9. В германиевых диодах, изготавливаемых сплавным методом, для получения электронно- дырочного перехода 9 в пластинку германия с электронной проводимостью добавляют каплю расплавленного индия, а затем нагревают. При нагревании плавящийся индий диффундирует в основной полупроводник, образуя в нем слой 10 с дырочной проводимостью. Верхний контакт представляет собой массивную деталь 6, способную пропускать значительные токи большего по площади перехода. Германиевая пластинка 7 с P-N- переходом помещается в металлический корпус 5, герметизированный сверху стеклянным изолятором 4 с трубкой 3, в который помещены внутренний вывод 2 и наружный вывод 1. В плоскостных кремниевых диодах в пластинку из кремния с электронной проводимостью вместо индия вплавляют алюминиевый столбик, который создает область с дырочной проводимостью.

Основные параметры полупроводниковых диодов.

Эксплуатационные возможности полупроводниковых диодов характеризуются их параметрами, которые определяются при температуре окружающей среды +(20 + 5)⁰С и приводятся в справочной литературе. По назначению диоды делятся на выпрямительные, высокочастотные (универсальные) и импульсные.