Устройство полупроводниковых диодов

Наибольшее применение получили полупроводниковые германиевые и кремниевые диоды, отличающиеся друг от друга конструктивным оформлением и размерами в зависимости от типа полупроводникового материала, номинального тока и напряжения. По конструктивному выполнению эти диоды бывают плоскостными и точечными. Плоскостные диоды изготавливают на токи до нескольких ампер, точечные- до нескольких миллиампер.

Точечные диоды.

Эти диоды изготавливают из полупроводника с электронной проводимостью в виде тонкой пластинки 7, которую покрывают снизу тонким слоем металла и припаивают к металлическому основанию. Сверху в пластинку 7 упирается контактная пружина 5 из вольфрамовой проволоки, заостренный конец которой покрыт слоем индия или алюминия. Этот слой является акцепторной примесью и обеспечивает создание около заостренного конца полупроводника области 4 с дырочной проводимостью. Между P- и N- полупроводниками образуется электронно- дырочный переход 6 толщиной 10-12 Рис11. Точечный диод. мкм. Влажность и загрязнение снижают вентильные свойства P-N- перехода, поэтому диоды монтируются в стеклянном или металлическом герметическом корпусе 1, на концах которого установлены коваровые трубки 2 с выводами 3. Кроме того, корпус защищает полупроводниковый элемент от механических повреждений и обеспечивает нормальную работу вентиля в условиях вибрации, тряски и ударов. После сборки диоды подвергают электрической формовке. При пропускании импульсов тока значительной силы происходит частичное расплавление и диффузия атомов индия или алюминия в основной полупроводник. Благодаря малой площади P-N- перехода точечные диоды имеют незначительную емкость и поэтому применяются в высокочастотных устройствах автоматики.