Элементов I, II, VI, VII, VIII групп периодической

системы.

В качестве легирующих примесей используют элементы III и V групп периодической системы. Это бор (В), фосфор (Р), мышьяк (As) и сурьма (Sb).

С помощью диффузии в полупроводник можно вводить примесь до концентраций, не превышающих предельную растворимость этой примеси при данной температуре. При t ≈ 1200° предельная растворимость бора составляет 5 • 10²⁰ атомов/см³; фосфора - 1,3 • 10²¹ атомов/см³; сурьмы - 6 • 10¹⁹ атомов/см³, мышьяка - 2 • 10²¹ атомов/см³.

При изготовлении ИМС встречаются два случая диффузии:

1. Диффузия из бесконечного источника примеси -

когда количество атомов примеси, уходящее из поверхностного слоя вглубь полупроводника восполняется таким же количеством атомов примеси, поступающим извне. При этом поверхностная концентрация примеси остается постоянной.

2. Диффузия из ограниченного источника примеси -

когда количество атомов примеси, уходящее из поверхностного слоя вглубь полупроводника не восполняется. При этом поверхностная концентрация примеси со временем уменьшается.