Возникает при соединении металла с полупроводником p или n типа с разными степенями обогащения примесью и с разной работой выхода электронов A из металла и полупроводника.
В зависимости от соотношении работ выхода А и типа п/п различают образование в п/п обедненного слоя носителями заряда и обогащенного.
Если (металл) Ам < Аn, то приконтактный слой полупроводника обогащается за счет металла, возникает переход “М- n +- n ” - т.е. переход возник внутри полупроводника.
Рис. 5.7Переход металл- n полупроводник,Ам < Аn,
Если Ам < Ар, то приконтактный слой полупроводника обедняется, получается переход “М- р - р +”
Рис. 5.8Переход металл- p полупроводник, Ам < Ар,
Выпрямляющим свойством обладает обедненный слой. Такой переход получил название “ переход Шоттки ”.