Пример “n-М”
Если работа выхода электронов из n -полупроводника меньше, чем из металла, (металл) Ам > Аn, то при образовании контакта часть электронов переходит из полупроводника в металл; в полупроводнике появляется обедненный слой (структура “ М- n-n+ ”), содержащий положительный заряд ионов доноров, ПОТЕНЦИАЛЬНЫЙ БАРЬЕР….
В обедненном слое возникает электрическое поле, препятствующее диффузии электронов к контакту (т.е. наблюдаются процессы аналогичные, как в рассмотренном ранее p-n переходе).
Величина потенциального барьера (прямое падение напряжения) - 0,2-0,4 вольт.
Возникающий потенциальный барьер называется “барьером Шоттки”.
Рис. 5.9Образование потенциального барьера, переход М-n
Рассматриваемый переход обладает выпрямительным свойством.
Для п/п р – типа, чтобы переход обладал выпрямительным свойством, работа выхода электронов из металла должна быть меньше работы выходап/п. Ар>Ам см. р ис. 5.8
Барьер Шоттки (открыл нем. физик Вальтер Шоттки — Walter Schottky)