Диод Шоттки — это полупроводниковый прибор, выпрямительные свойства которого основаны на использовании выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником
Для диода, рассмотренного выше, основным физическим процессом, ограничивающим быстродействие, оказывался процесс накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в базе диода.
Существует и другой фактор (физический процесс) ограничивающий быстродействие диодов с p-n переходом - это перезаряд барьерной емкости, который имел в рассмотренном выше диоде второстепенное значение.
Использование выпрямляющего перехода Шоттки, т. е. выпрямляющего
электрического перехода, образованного в результате контакта между металлом и полупроводником позволило повысить быстродействие импульсных диодов.
Отличие перехода Шоттки в том, что высота потенциального барьера для электронов и дырок может существенно отличаться.
Поэтому при включении выпрямляющего перехода Шоттки в прямом направлении прямой ток возникает благодаря движению основных носителей заряда из полупроводника в металл, а носители другого знака (неосновные для полупроводника) практически не могут перейти из металла в полупроводник из-за высокого для них потенциального барьера на переходе.
|
|
Таким образом, не происходит накопления неосновных носителей в базе у выпрямляющего перехода Шоттки.
Таким образом, на основе выпрямляющего перехода Шоттки могут быть созданы выпрямительные, импульсные и сверхвысокочастотные полупроводниковые диоды, отличающиеся от диодов с p-n переходом лучшим быстродействием.
Переход Шотки целесообразно создавать на кристалле п/п n - типа т.к. подвижность электронов больше подвижности дырок.