2015-04-17
337
Для изготовления светодиодов, используются различные полупроводниковые материалы. В зависимости от величины энергетического барьера, или ширины запрещенной зоны, испускается излучение различных участков спектра. Прямое падение напряжения на светодиоде зависит от величины запрещенной зоны.
| Цвет | Длина волны (nm) | Прямое напряжение (V) | Материал полупроводника |
| Инфракрасный | λ > 760 | ΔV < 1.9 | Арсенид Галлия (GaAs) Арсенид Галлия и Алюминия (AlGaAs) |
| Красный | 610 < λ < 760 | 1.63 < ΔV < 2.03 | Арсенид Галлия и Алюминия (AlGaAs) Арсенид Фосфид Галлия (GaAsP) Фосфид Алюминия Галлия Индия (AlGaInP) Фосфид Галлия (GaP) |
| Оранжевый | 590 < λ < 610 | 2.03 < ΔV < 2.10 | Арсенид Фосфид Галлия (GaAsP) Фосфид Алюминия Галлия Индия (AlGaInP) Фосфид Галлия (GaP) |
| Желтый | 570 < λ < 590 | 2.10 < ΔV < 2.18 | Арсенид Фосфид Галлия (GaAsP) Фосфид Алюминия Галлия Индия (AlGaInP) Фосфид Галлия (GaP) |
| Зеленый | 500 < λ < 570 | 1.9 < ΔV < 4.0 | Нитрид Галлия Индия (InGaN) / Нитрид Галлия (GaN) Фосфид Галлия (GaP) Фосфид Алюминия Галлия Индия (AlGaInP) Фосфид Алюминия Галлия (AlGaP) |
| Синий | 450 < λ < 500 | 2.48 < ΔV < 3.7 | Селенид Цинка (ZnSe) Нитрид Галлия Индия (InGaN) Карбид кремния (SiC) в качестве подложки |
| Фиолетовый | 400 < λ < 450 | 2.76 < ΔV < 4.0 | Нитрид Галлия Индия (InGaN) |
| Пурпурный | 2.48 < ΔV < 3.7 | синий с красным фосфором, белый с пурпурным фильтром | |
| Ультрафиолетовый | λ < 400 | 3.1 < ΔV < 4.4 | Углерод - алмаз (235 nm) Нитрид Бора (215 nm) Нитрид Алюминия (AlN) (210 nm) Нитрид Алюминия Галлия (AlGaN) Нитрид Алюминия Галлия Индия (AlGaInN) — до 210 nm |
| Белый | Широкий спектр | ΔV = 3.5 | Синий/УФ диод и желтый фосфор |
